[发明专利]自动调节硅片制绒工艺的装置有效
申请号: | 201410748135.6 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104538330B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 陶龙忠;乐雄英;杨灼坚;张尧;李海波 | 申请(专利权)人: | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
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地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动 调节 硅片 工艺 装置 | ||
本发明公开了一种自动调节硅片制绒工艺的装置,该装置由反射率测量系统、硅片厚度测量系统、反馈控制系统组成,反射率测量系统设置于制绒设备的下料端,硅片厚度测量系统设置于制绒设备的上料端与下料端,反馈控制系统分别与反射率测量系统、硅片厚度测量系统及制绒设备主控计算机相连接,反馈控制系统收集反射率测量系统和硅片厚度测量系统测得的信号,经内部算法处理后,下达指令予制绒设备主控计算机,对制绒设备的工艺参数进行自动调节。本发明适用于太阳能电池表面结构化的制绒工艺,本发明装置对硅片制绒工艺的自动调节,有效解决了工艺人员对工艺的调控问题,增强了工艺的准确性与稳定性,提升产品质量。
技术领域
本发明涉及太阳能电池表面结构化的制绒工艺领域,特别涉及一种自动调节硅片制绒工艺的装置。
背景技术
太阳能电池片的表面结构化制程是太阳能电池生产中非常重要的一步,对后面电池片制程的各项工艺有着重大的影响,而进行链式酸制绒是时下太阳能电池最常用的表面结构化方法。现在生产线上制绒工艺的调整通常是工艺人员通过测量硅片的减薄量,然后根据减薄量的结果,进行工艺的调节,以维持工艺的稳定性。这种做法存在两个问题,第一,根据减薄量的结果进行工艺的调节始终是滞后的,如果工艺出现了问题,不能及时调节,那么这期间可能会出现一些制绒不合格的硅片;第二,工艺人员的调节结果不一定准确,制绒出来的硅片也就没有达到最好的结果。本发明克服了现有工艺的不足,提供了一种自动调节硅片制绒工艺的装置,可以实时对制绒工艺进行自动调节,维持工艺的稳定性,确保制绒效果达到最好,提升产品质量。
发明内容
本发明为了克服现有工艺的不足,提供一种自动调节硅片制绒工艺的装置,可以实时对制绒工艺进行自动调节,维持工艺的稳定性,确保制绒效果达到最好,提升产品质量。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种自动调节硅片制绒工艺的装置,该装置由反射率测量系统、硅片厚度测量系统和反馈控制系统组成,所述反射率测量系统设置于制绒设备的下料端,所述硅片厚度测量系统设置于制绒设备的上料端与下料端,所述反馈控制系统分别与反射率测量系统、硅片厚度测量系统及制绒设备主控计算机相连接,所述反馈控制系统收集反射率测量系统和硅片厚度测量系统测得的信号,经内部算法处理后,下达指令予制绒设备主控计算机,对制绒设备的工艺参数进行自动调节。
制绒设备主控计算机对制绒设备的工艺参数进行自动调节,如反射率的调节,厚度减薄量的调节,温度的调节,传输速度的调节及补液系数的调节;
作为本发明的进一步改进,所述反射率测量系统由激光反射率测量仪组成,无接触测量硅片的反射率。
作为本发明的进一步改进,所述硅片厚度测量系统由电容测厚仪、电感测厚仪或电阻测厚仪组成,安装在制绒设备的上料端和下料端,无接触测量硅片的厚度变化;
作为本发明的进一步改进,所述反馈控制系统由可编程逻辑控制器或计算机组成。
本发明的有益效果是:本发明适用于太阳能电池表面结构化的制绒工艺,该发明装置对硅片制绒工艺的自动调节,有效解决了工艺人员对工艺的调控问题,增强了工艺的准确性与稳定性,提升产品质量。
附图说明
图1为本发明自动调节硅片制绒工艺装置安装在制绒设备上的结构示意图;
图中标示:1-反射率测量系统、2-硅片厚度测量系统、3-反馈控制系统、4-制绒设备主控计算机、5-上料端、6-下料端、7-制绒槽、8-滚轮、9-硅片、10-制绒设备。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解,下面将结合实施例和附图对本发明作进一步详述,该实施例仅用于解释本发明,并不构成对本发明保护范围的限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造