[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板；

层叠设置在所述基板表面的第一栅极、第一栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层及第二栅极，其中，所述半导体层的厚度为200nm～2000nm；

所述蚀刻阻挡层设置有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述半导体层设置；

源极及漏极，所述源极及所述漏极分别穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层；

缓冲层，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层、所述半导体层、所述蚀刻阻挡层及所述第二栅极通过所述缓冲层层叠设置于所述基板上；

所述半导体层中形成第一电流沟道及第二电流沟道，所述第一电流沟道邻近所述第一栅极绝缘层，所述第二电流沟道邻近所述蚀刻阻挡层，所述第一电流沟道及所述第二电流沟道中的电流均为由所述源极流向所述漏极，所述薄膜晶体管的开态电流为所述第一电流沟道中的电流与所述第二电流沟道中的电流之和。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝化层层叠设置于所述第二栅极上，所述钝化层上设有第三贯孔及第四贯孔，所述第三贯孔连通所述第一贯孔，所述第四贯孔连通所述第二贯孔，所述源极穿过所述第三贯孔及所述第一贯孔连接所述半导体层，所述漏极穿过所述第四贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述源极与所述半导体层之间，所述源极通过所述第一欧姆接触层连接所述半导体层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述漏极与所述半导体层之间，所述漏极通过所述第二欧姆接触层连接所述半导体层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的横向尺寸大于所述第一栅极的横向尺寸且大于所述第二栅极的横向尺寸。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

基板；

层叠设置于所述基板表面的第一栅极、第一栅极绝缘层、至少两层半导体层、蚀刻阻挡层及第二栅极，其中，所述至少两层半导体层总的厚度为200nm～2000nm；

所述蚀刻阻挡层设置有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述半导体层设置；

源极及漏极，所述源极及所述漏极分别穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层；

缓冲层，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层、所述至少两层半导体层、所述蚀刻阻挡层及所述第二栅极通过所述缓冲层层叠设置于所述基板上；

所述半导体层中形成第一电流沟道及第二电流沟道，所述第一电流沟道邻近所述第一栅极绝缘层，所述第二电流沟道邻近所述蚀刻阻挡层，所述第一电流沟道及所述第二电流沟道中的电流均为由所述源极流向所述漏极，所述薄膜晶体管的开态电流为所述第一电流沟道中的电流与所述第二电流沟道中的电流之和。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝 化层层叠设置于所述第二栅极上，所述钝化层上设有第三贯孔及第四贯孔，所述第三贯孔连通所述第一贯孔，所述第四贯孔连通所述第二贯孔，所述源极穿过所述第三贯孔及所述第一贯孔连接所述半导体层，所述漏极穿过所述第四贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述源极与所述半导体层之间，所述源极通过所述第一欧姆接触层连接所述半导体层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述漏极与所述半导体层之间，所述漏极通过所述第二欧姆接触层连接所述半导体层。

10.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的横向尺寸大于所述第一栅极的横向尺寸且大于所述第二栅极的横向尺寸。