[发明专利]薄膜晶体管

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：基板；层叠设置在所述基板表面的第一栅极、第一栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层及第二栅极，其中，所述半导体层的厚度为200nm～2000nm；所述蚀刻阻挡层设置有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述半导体层设置；源极及漏极，所述源极及所述漏极分别穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。本发明薄膜晶体管具有较高的开态电流，以及开关速度。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种具有较大开态电流的薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)作为一种开关元件被广泛地应用在液晶显示装置等电子装置中。双栅极薄膜晶体管作为薄膜晶体管的一种特定的结构，由于可以应用在高分辨率(high pixels per inch，high PPI)的显示设备上而得到广泛地关注。对于双栅极薄膜晶体管而言，高的开态电流可以增加所述双栅极晶体管的开关速度。为了增加所述双栅极薄膜晶体管的开态电流，通常的做法是增加双栅极薄膜晶体管中沟道的宽度或者是减小沟道的长度。然而，增大双栅极薄膜晶体管中沟道的宽度会降低液晶显示装置的开口率；减小双栅极薄膜晶体管的沟道的长度会引起短沟道效应。综上所述，现有技术中双栅极薄膜晶体管的开态电流较小，从而导致双栅极薄膜晶体管的开关速度较慢。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管，从而提高薄膜晶体管的开态电流，提升所述薄膜晶体管的开关速度。

一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基板；

层叠设置在所述基板表面的第一栅极、第一栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层及第二栅极，其中，所述半导体层的厚度为200nm～2000nm；

所述蚀刻阻挡层设置有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述半导体层设置；

源极及漏极，所述源极及所述漏极分别穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。

其中，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝化层层叠设置于所述第二栅极上，所述钝化层上设有第三贯孔及第四贯孔，所述第三贯孔连通所述第一贯孔，所述第四贯孔连通所述第二贯孔，所述源极穿过所述第三贯孔及所述第一贯孔连接所述半导体层，所述漏极穿过所述第四贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。

其中，所述薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置于所述源极与所述半导体层之间，所述源极通过所述第一欧姆接触层连接所述半导体层。

其中，所述薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置于所述漏极与所述半导体层之间，所述漏极通过所述第二欧姆接触层连接所述半导体层。

其中，所述半导体层的横向尺寸大于所述第一栅极的横向尺寸且大于所述第二栅极的横向尺寸。

相较于现有技术，由于把所述半导体层的厚度设置为200nm～2000nm，此种厚度的半导体层可以在所述半导体层中形成两个电流沟道。所述薄膜晶体管的开态电流为两个电流沟道中的电流之和。因此，所述薄膜晶体管具有较高的开态电流，提升了所述薄膜晶体管的开关速度。

另一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基板；

层叠设置于所述基板表面的第一栅极、第一栅极绝缘层、至少两层半导体层、蚀刻阻挡层及第二栅极；

所述蚀刻阻挡层设置有第一贯孔及第二贯孔，所述第一贯孔及所述第二贯孔分别对应所述半导体层设置；

源极及漏极，所述源极及所述漏极分别穿过所述第一贯孔及所述第二贯孔连接所述半导体层。