[发明专利]复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法和显示模组

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法和显示模组。

背景技术

半导体显示器产品发展到今天，配套的或是交叉行业的资源已经极大地丰富和完善。

但是传统的LED显示技术在高密度领域已经出现瓶颈。因为受制于LED光源的传统结构，同时受制于后集成加工的模组所涉及的材料结构，譬如传统的恒流源封装的驱动容量和结构，传统的FR4PCB板松散的材质带来的集成成品的热不稳定性问题以及平整度强度问题，以及为安装拼接为大屏幕所需要的注塑面罩和塑壳等，都严重限制着LED显示技术在高密度领域的突破和应用。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法和显示模组，所述方法工艺简单，适于大规模生产应用，制备得到的显示模组，显示效果和一致性好，能够满足LED显示技术在高密度领域应用的需要。

第一方面，本发明提供了一种复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法，包括：

制备复合玻璃基板，所述复合玻璃基板包括玻璃面板和装入所述玻璃面板一侧的磊晶衬底；

在所述复合玻璃基板的所述磊晶衬底上进行磊晶，用以淀积生长单色LED晶片；

在所述单色LED晶片上制备电极；

在所述单色LED晶片上制备与所述电极进行电连接的氧化铟锡ITO电路层；

在所述ITO电路层上制作控制电路；

制作LED晶片间的隔离槽，所述隔离槽的底部位于所述磊晶衬底内；

在所述隔离槽中淀积SiO₂；

安装集成电路分离器件；所述集成电路分立器件用于提供控制信号，通过所述控制电路控制所述单色LED晶片的工作。

优选的，所述磊晶衬底具体为SiC衬底、Al₂O₃衬底、GaAs衬底或GaP衬底中的一种。

优选的，所述磊晶具体为：

采用有机金属化学气相沉积MOCVD方法进行单色LED晶片的淀积生长。

优选的，所述集成电路分离器件具体包括：

专用集成电路ASIC或者现场可编程门阵列FPGA。

优选的，在所述安装集成电路分离器件之后，所述方法还包括：

对所述显示模组进行电学测试。

优选的，在所述安装集成电路分离器件之后，所述方法还包括：

在所述集成电路分离器件一侧贴装散热支架，用以对所述显示模组进行散热。

优选的，在所述安装集成电路分离器件之后，所述方法还包括：

对所述显示模组进行光学测试。

第二方面，本发明实施例提供了一种应用上述第一方面所述的方法制备的LED显示模组。

本发明提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法，工艺简单，适于大规模生产应用，制备得到的显示模组，显示效果和一致性好，能够满足LED显示技术在高密度领域应用的需要。

附图说明

图1为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制造方法流程图；

图2为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之一；

图3为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之二；

图4为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之三；

图5为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之四；

图6为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之五；

图7为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图之六；

图8为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的示意图。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

具体实施方式

本发明的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备方法和显示模组，主要用于LED显示屏，超小间距LED显示屏，超高密度LED显示屏，LED正发光电视，LED正发光监视器，LED视频墙，LED指示，LED特殊照明等领域的显示面板制造。

图1为本发明实施例提供的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备方法流程图。图2-图6为本发明实施例的复合玻璃基板单色LED显示模组的制备过程示意图，下面以图1并结合图2-图6对本发明的制备方法进行说明。