[发明专利]一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法

权利要求书

1.一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法是按以下步骤完成的：

一、首先对Ti靶进行扇形镂空处理，得到镂空处理后的Ti靶，再将Ta靶置于镂空处理后的Ti靶底部，得到复合靶材；所述的复合靶材中Ti的原子分数为70％～90％；

二、将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，且衬底与复合靶材相向而置，衬底与复合靶材之间的距离为60mm～80mm；

三、抽真空，当真空腔的真空度达到1.5×10^-4～3×10^-5Pa后，通入氩气至压强为0.1Pa～0.15Pa；

四、利用直流磁控溅射，并调节溅射功率为100W～200W，以复合靶材作为阴极进行沉积0.5h～2h，即得到Ti-Ta高温记忆合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于步骤一中所述的Ti靶厚度为2mm。

3.根据权利要求1所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于步骤一中所述的镂空处理后的Ti靶上有多个扇形镂空；扇形镂空是以Ti靶圆心为扇形圆心，扇形镂空为角度为5°～10°的等角度扇形，且多个扇形镂空的扇形间隔角度相同。

4.根据权利要求1所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于步骤二中所述的衬底为SiO₂单晶片、NaCl单晶片或KBr单晶片。

5.根据权利要求4所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于所述的SiO₂单晶片在丙酮中超声波清洗20min～30min，然后在乙醇中超声波清洗20min～30min，最后再去离子水中超声波清洗20min～30min。

6.根据权利要求1所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于步骤三中抽真空，当真空腔的真空度达到1.5×10^-4Pa后，通入氩气至压强为0.13Pa。

7.根据权利要求1所述的一种高效制备Ti-Ta高温记忆合金薄膜的方法，其特征在于步骤四中利用直流磁控溅射，并调节溅射功率为150W，以复合靶材作为阴极进行沉积2h。