[发明专利]一种多晶硅还原炉用变流变压器

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉用变流变压器，包括高压侧绕组和低压侧绕组，其特征在于：

所述高压侧绕组轴向分裂成两个绕组：高压绕组L11和高压绕组L12，高压绕组L11和高压绕组L12各相结构相同，各相均轴向分裂成两个绕组，即：A相分为L11a和L12a ，B相分为L11b 和L12b，C相分为 L11c L12c；

分裂后的高压绕组L11与高压绕组L12并联共用1个无励磁调压开关3，实现对高压绕组L11和高压绕组L12同时调压；

高压绕组每相并联后在变压器内部采用三角形接法；

所述低压侧绕组与分裂后的高压侧绕组对应，包括低压绕组L21和低压绕组L22，即：低压绕组L21与高压绕组L11对应，低压绕组L22与高压绕组L12对应；

所述低压绕组L21和低压绕组L22之间绝缘，低压绕组头尾全部引出，每相独立运行，没有电气上的联系；

所述低压绕组L21和低压绕组L22结构相同，包括5个串联分接绕组，即：

低压绕组L21包括5个串联分接绕组：L211、L212、L213、L214和L215，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同；

低压绕组L22包括5个串联分接绕组：L221、L222、L223、 L224和L225，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于：所述高压绕组L11和高压绕组L12，低压绕组L21和低压绕组L22共用一个铁芯。

3.根据权利要求1或2所述的一种多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于：所述低压绕组L21和低压绕组L22或同时带上不同的负载同时运行，或低压绕组L21带负载而低压绕组L22空载，或者低压绕组L22带负载而低压绕组L21空载。