[发明专利]一种多晶硅还原炉用变流变压器

说明书

技术领域

本发明涉及一种冶炼变压器，尤其是涉及一种多晶硅还原炉用变流变压器。

背景技术

在多晶硅冶炼过程中，温度变化跨度大，电压电流变化范围宽，需要将一种供电电压经过变压器降压、调压后变成多种电压供电；目前多晶硅还原炉用变流变压器通常采用如下方式：变压器高压侧采用每相1个高压绕组，低压绕组每相设置2~5个左右，低压绕组与高压对应。

已有技术存在如下不足：

1．不能满足多晶硅冶炼过程要求低压输出多种电压和电流的工作需要；

2．由于低压输出的组数少，1台变压器只能带一个负载，相对来说不经济。

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅还原炉用变流变压器，以解决已有技术所存在的上述不足之处。

本发明采取的技术方案是：一种多晶硅还原炉用变流变压器，包括高压侧绕组和低压侧绕组：所述高压侧绕组轴向分裂成两个绕组：高压绕组L11和高压绕组L12，高压绕组L11和高压绕组L12各相结构相同，各相均轴向分裂成两个绕组，即：A相分为L11a和L12a ，B相分为L11b 和L12b，C相分为 L11c L12c；分裂后的高压绕组L11与高压绕组L12并联共用1个无励磁调压开关3，实现对高压绕组L11和高压绕组L12同时调压；高压绕组每相并联后在变压器内部采用三角形接法； 所述低压侧绕组与分裂后的高压侧绕组对应，包括低压绕组L21和低压绕组L22，即：低压绕组L21与高压绕组L11对应，低压绕组L22与高压绕组L12对应；

所述低压绕组L21和低压绕组L22之间绝缘，低压绕组头尾全部引出，每相独立运行，没有电气上的联系；所述低压绕组L21和低压绕组L22结构相同，包括5个串联分接绕组，即：

低压绕组L21包括5个串联分接绕组：L211、L212、L213、L214和L215，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同；

低压绕组L22包括5个串联分接绕组：L221、L222、L223、 L224和L225，每个分接绕组独立单相运行，其输出的单相电压、电流、阻抗各不相同。

其进一步的技术方案是：所述高压绕组L11和高压绕组L12，低压绕组L21和低压绕组L22共用一个铁芯。

其更进一步的技术方案是：所述低压绕组L21和低压绕组L22或同时带上不同的负载同时运行，或低压绕组L21带负载而低压绕组L22空载，或者低压绕组L22带负载而低压绕组L21空载。

由于采用上述技术方案，本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器具有以下优点：

1．由于多晶硅还原炉在不同的工艺阶段需要不同的电压和电流供电，且电压和电流变化的辐度很大，要求变压器对同一负载供电时，低压输出的电压和电流有很大辐度的改变，本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器，低压绕组数比已有技术的变压器翻了一倍，输出的电压和电流组数多，输出的电压、电流、阻抗各不相同，可满足多晶硅还原炉的上述特殊要求；

2．本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器增加了变压器低压的输出电压、电流、阻抗组数，使每台变压器设备可以同时带两个不同电压和电流及阻抗参数的负载（参数电压、电流不同的两台还原炉），一台变压器可以实现两台变压器才能实现的功能，提高了运行性能的可靠性和稳定性；

3．本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器，其高压绕组L11和高压绕组L12，低压绕组L21和低压绕组L22共用一个铁芯，共用一个无励磁调压开关，节约成本；

4．由于本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器可以带上两个负载，减少了变压器的用量，降低了制造成本，减少了投资及占用空间。

下面，结合附图和实施例对本发明之一种多晶硅还原炉用变流变压器的技术特征作进一步的说明。

附图说明

图1为一种多晶硅还原炉用变流变压器接线电气原理结构图；

图2为一种多晶硅还原炉用变流变压器器身结构示意图；

图3为一种多晶硅还原炉用变流变压器低压连接负载示意图；

图中：

3为无励磁调压开关，41、42为变流器，51、52为负载；

L11和 L12为两个高压绕组；

L11a 、L11b和为 L11c 为高压绕组L11的三相绕组，

L12a、L12b和L12c为高压绕组L12的三相绕组；

L21和L22为两个低压绕组；

L211、L212、L213、L214和L215为低压绕组L21的5个串联分接绕组，