[发明专利]用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

衬底；

介电层，位于所述衬底的上方；

具有第一密度的第一硬掩模层，位于所述介电层的上方；

具有第二密度的第二硬掩模层，位于所述第一硬掩模层上并具有圆弧形的顶部表面；以及

开口，延伸穿过所述第一硬掩模层、所述第二硬掩模层和所述介电层；以及

导电材料，填充在所述开口中，

其中，所述第二硬掩模层的所述第二密度小于所述第一硬掩模层的所述第一密度。

2.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，其中，部件尺寸为50nm或更小。

3.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，还包括位于所述第二硬掩模层上的具有第三密度的第三硬掩模层，所述第三密度小于所述第一密度和所述第二密度。

4.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，其中，所述第一密度大于4.8g/cm³并且所述第二密度小于4.8g/cm³。

5.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，其中，所述第二密度和所述第一密度的比小于0.94。

6.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，其中，所述第二硬掩模层的第二厚度大于所述第一硬掩模层的第一厚度。

7.根据权利要求1所述的集成电路(IC)结构，其中，所述第一硬掩模层或所述第二硬掩模层是TiN。

8.一种双镶嵌结构，包括：

衬底；

介电层，位于所述衬底的上方；

通孔结构和沟槽结构，位于所述介电层中；

抗反射涂(ARC)层，位于所述介电层的上方；

具有第一密度的第一硬掩模层，位于所述ARC层的上方；

具有第二密度的第二硬掩模层，位于所述第一硬掩模层上并具有圆弧形的顶部表面；以及

导电层，填充所述通孔和所述沟槽，

其中，所述第二硬掩模层的所述第二密度小于所述第一硬掩模层的所述第一密度。

9.根据权利要求8所述的双镶嵌结构，其中，所述第一密度大于4.8g/cm³并且所述第二密度小于4.8g/cm³或者所述第二密度和所述第一密度的比小于0.94。

10.根据权利要求8所述的双镶嵌结构，其中，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层包括TiN、氧化物-氮化物-氧化物(ONO)、或氮氧化硅(SiON)。

11.一种形成鲁棒金属化剖面的方法，包括：

在衬底上方应用第一介电层；

在所述第一介电层上方接连地应用具有第一密度的第一硬掩模层和具有第二密度的第二硬掩模层，其中，所述第二硬掩模层具有圆弧形的顶部表面；

图案化和蚀刻开口穿过所述第二硬掩模、所述第一硬掩模和所述第一介电层；以及

在所述开口中提供导电材料以形成互连结构，其中，所述第一硬掩模层的所述第一密度大于所述第二硬掩模层的所述第二密度。

12.根据权利要求11所述的形成鲁棒金属化剖面的方法，还包括：

接连地在所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层中图案化通孔结构、在所述第一介电层、所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层上方形成第二介电层以及在所述第二介电层上方形成第三硬掩模层；

在所述第三硬掩模层中图案化沟槽结构；

蚀刻所述通孔结构和所述沟槽结构；以及

在所述通孔结构和所述沟槽结构中提供所述导电材料以形成所述互连结构。

13.根据权利要求11所述的形成鲁棒金属化剖面的方法，其中，所述第一介电层是多孔低k材料。