[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.通过形成于蚀刻对象膜上的掩模对层积于基板上的含有多晶硅的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：

供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，由该处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对所述掩模进行处理的步骤，

通过所述掩模对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，

所述蚀刻的步骤包括利用第1蚀刻气体生成的第1等离子体对形成于所述多晶硅上的层进行蚀刻的第1阶段，

利用与第1蚀刻气体不同的第2蚀刻气体生成的第2等离子体对所述多晶硅的一部分进行蚀刻的第2阶段，

在所述第1阶段CD值减少，在第2阶段CD值增大，

所述处理的时间为5秒以上且不足20秒。

2.根据权利要求1所述的蚀刻处理的方法，其中，所述处理气体包含二氧化碳气体。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻处理的方法，其中，所述蚀刻对象膜为含硅膜。

4.通过形成于蚀刻对象膜上的掩模对层积于基板上的含有多晶硅的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：

供给包含氢气和非活性气体的处理气体，由该处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对所述掩模进行处理的步骤，

通过所述掩模对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，

所述蚀刻的步骤包括利用第1蚀刻气体生成的第1等离子体对形成于所述多晶硅上的层进行蚀刻的第1阶段，

利用与第1蚀刻气体不同的第2蚀刻气体生成的第2等离子体对所述多晶硅的一部分进行蚀刻的第2阶段，

在所述第1阶段CD值减少，在第2阶段CD值增大，

所述处理的时间为5秒以上且不足20秒。

5.通过形成于蚀刻对象膜上的掩模对层积于基板上的含有多晶硅的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：

供给包含四氟化碳即CF4气体或二氟甲烷即CH2F2气体的处理气体，由该处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对所述掩模进行处理的步骤，

通过所述掩模对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，

所述蚀刻的步骤包括利用第1蚀刻气体生成的第1等离子体对形成于所述多晶硅上的层进行蚀刻的第1阶段，

利用与第1蚀刻气体不同的第2蚀刻气体生成的第2等离子体对所述多晶硅的一部分进行蚀刻的第2阶段，

在所述第1阶段CD值减少，在第2阶段CD值增大，

所述处理的时间为5秒以上且不足20秒。

6.通过形成于蚀刻对象膜上的掩模对层积于基板上的含有多晶硅的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：

供给包含氢气和氮气的处理气体，由该处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对所述掩模进行处理的步骤，

通过所述掩模对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，

所述蚀刻的步骤包括利用第1蚀刻气体生成的第1等离子体对形成于所述多晶硅上的层进行蚀刻的第1阶段，

利用与第1蚀刻气体不同的第2蚀刻气体生成的第2等离子体对所述多晶硅的一部分进行蚀刻的第2阶段，

在所述第1阶段CD值减少，在第2阶段CD值增大，

所述处理的时间为5秒以上且不足20秒。