[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理；对进行了前述处理的蚀刻对象膜利用由蚀刻气体生成的等离子体进行蚀刻。

技术领域

本发明涉及蚀刻方法。

背景技术

伴随图案的精细化，提高通过蚀刻形成的图案的尺寸的精度正在逐渐变得重要。尤其是，蚀刻的图案的长宽比变大时，形成图案的尺寸精度变差。因此，专利文献1中公开了用于改善下述被称为微负载(micro loading)的现象技术，所述微负载现象为在加工图案的长宽比增大时所形成的图案的尺寸精度变差、蚀刻速度降低的现象。

另外，伴随图案的精细化，也提出了使蚀刻图案的CD(Critical Dimention，临界尺寸)收缩(shrink)，从而减小蚀刻的图案的尺寸的技术。在下一时代，为了进一步实现精细化，控制使CD收缩时的图案的纵与横的CD收缩量变得非常重要。通常而言，优选控制图案的纵与横的CD收缩比为1比1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2003-506866号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，通常而言，例如在椭圆状的孔图案的情况下，长径的收缩量大于短径的收缩量，难以控制长径与短径的CD收缩比为1比1。

对于上述课题，从一个方面来说，目的在于提供能够控制蚀刻图案的CD收缩比的蚀刻方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种蚀刻方法，其为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体并且利用由该处理气体生成的等离子体，对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理，利用由蚀刻气体生成的等离子体对进行了前述处理的蚀刻对象膜进行蚀刻。

发明的效果

本发明的一个方式中，能够控制蚀刻图案的CD收缩比。

附图说明

图1为示出一实施方式中的蚀刻装置的整体结构的一个例子的图。

图2为示出一实施方式中的蚀刻对象膜的一个例子的图。

图3为示出一实施方式中的蚀刻方法的一个例子的流程图。

图4为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图5为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图6为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图7为示出一实施方式中的掩模处理时间与CD偏差(bias)的关系的图。

图8为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图9为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图10为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。

图11为示出实行了一实施方式中的蚀刻方法的结果的一个例子的图。