[发明专利]一种超薄高导热石墨膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410759684.3 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN104445174A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 李志文;林剑锋;朱秀娟;侯玉婷;张留成 申请(专利权)人: 碳元科技股份有限公司
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 常州市科谊专利代理事务所 32225 代理人: 袁兴隆
地址: 213145 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 超薄 导热 石墨 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及散热技术领域,尤其涉及一种超薄高导热石墨膜及其制备方法。

背景技术

目前,石墨膜材料因其优异的特性,包括高导热性、耐热、耐腐蚀以及高导电性,在目前的工业应用中,广泛应用在电子类产品散热、耐热密封材料、发热体等技术领域。

比如,目前广泛使用的手持终端中,智能手机因为自身的尺寸小、电子元件密集度高、发热量大等特点,需要通过高热导率、轻质、稳定的材料来实现散热功能。在实际应用中,具有高散热性能的石墨膜材料,是优良的解决方案。

石墨膜材料的制造方案,当前的典型实施方式,包括有膨胀石墨法,它是通过将天然石墨和浓酸相混合,使其膨胀生成人造石墨,去酸之后高压压挤生成石墨膜。需要指出的是,利用这种方法制造的人造石墨膜材料,在导热性能、导电性能以及强度方面,都不算是很理想。

另一典型实施方式,是选择有机的高分子薄膜材料直接进行热处理,进行石墨化。在进行石墨膜材料制备的过程中,不会混入酸成分等杂质,另一方面,所制造的石墨膜材料在耐弯曲性、导热性、导电性等方面,都有较大的优势。

中国专利CN102838107公开了一种高导热石墨膜的制造方法及系统,通过其公开的方法得知,其制备的高导热石墨膜的10-15微米,并且其热导率达到或超过1500 W/m·k。

发明内容

本发明的目的是提供一种超薄高导热石墨膜,在保证石墨膜的高的导热系数的同时,通过降低石墨的厚度,从而大大降低石墨膜的使用成本。本发明提供的一种超薄高导热石墨膜的制备方法,通过对现有工艺的优化,制备出了厚度为8-10微米,导热系数为1800-1900W/m·k的石墨膜,大大节约了原材料,降低了生产成本,缩短了生产时间;为了获得厚度为8-10微米,导热系数为1800-1900W/m·k的石墨膜,对到达石墨化温度的过程进行严格的控制,使升温速度保持在2℃/min。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种超薄高导热石墨膜,所述石墨膜厚度为8-10微米,导热系数为1800-1900W/m·k。

具体地,所述石墨膜外包覆有一层石墨膜包覆材料,所述石墨膜包覆材料的厚度为3-4微米。

  具体地,包覆材料双侧都涂有压敏胶,其中一侧贴合石墨膜,另一侧贴合离型膜。

具体地,所述石墨膜包覆材料为:聚酯膜、聚氯乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜中的一种。

一种超薄高导热石墨膜的制备方法,包括如下步骤:

步骤1,采集用以进行碳化和石墨化处理的高分子薄膜材料,进行碳化处理;

步骤2,将碳化处理之后的碳化膜材料,进行升温处理,使其逐步达到石墨化温度;

步骤3,在石墨化温度范围内,选择温度参考点,以温度参考点为参照温度,在阈值范围为50-150℃的条件下,进行两次周期性振荡。

其中,所述的温度参考点的温度设置范围,是在加上或减去阈值的情况下,仍处于石墨化温度范围内。

具体地,所述的石墨化温度,在2400℃-3300℃之间。

作为优选,所述的石墨化温度,在2600℃-3100℃之间。

具体地,所述的阈值范围,为80℃-100℃之间。

具体地,在石墨化温度范围内所进行的温度振荡周期为4-15 次。

具体地,所述的石墨化温度范围内的时间,对应在10-180分钟之间。

具体地,所述的高分子薄膜材料为聚酰亚胺、聚酰胺、聚噁二唑、聚苯并噁唑、聚苯并双噁唑、聚噻唑、聚苯并噻唑、聚苯并双噻唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚苯并咪唑、聚苯并双咪唑中的一种。

具体实施方式

一种超薄高导热石墨膜,石墨膜厚度为8-10微米,导热系数为1800-1900W/m·k。

一种超薄高导热石墨膜的制备方法,包括如下步骤:

步骤1,采集用以进行碳化和石墨化处理的高分子薄膜材料,进行碳化处理;

步骤2,将碳化处理之后的碳化膜材料,进行升温处理,使其逐步达到石墨化温度;

步骤3,以2800℃为温度参考点,以温度参考点为参照温度,2850-2950℃的条件下,进行两次周期性振荡,温度振荡周期为4-15 次,进行石墨化温度的完成的时间为10-180分钟。

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