[发明专利]电子封装件及其制法在审

专利信息
申请号: 201410763563.6 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN105742273A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 蒋静雯;陈贤文;陈光欣;颜仲志;张玮仁 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子 封装 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种电子封装件,其特征为,该电子封装件包括:

板体,其具有相对的第一侧与第二侧,且该板体的第一侧上具有凹部与至少一第一开孔,并于该板体的第二侧上具有与该第一开孔相通的至少一第二开孔,令该第一开孔与第二开孔构成通孔;

电子组件,其设于该凹部中;

介电层,其形成于该板体的第一侧与该电子组件上;

线路层,其形成于该介电层上并电性连接该电子组件;以及

导电体,其设于该通孔中,且具有设于该第一开孔中并电性连接该线路层的第一导电部、及设于该第二开孔中并电性连接该第一导电部的第二导电部。

2.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该板体为半导体板材。

3.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该介电层还形成于该第一开孔的孔壁上,使该第一导电部形成于该介电层上。

4.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该第一导电部与第二导电部之间具有交界面。

5.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该电子封装件还包括止蚀层,其设于该第一开孔的孔壁上,使该第一导电部形成于该止蚀层上。

6.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该导电体还具有导电块体,其设于该第一开孔中并位于该第一导电部与该第二导电部之间,使该第一导电部藉由该导电块体电性连接该第二导电部。

7.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该电子封装件还包括绝缘层,其形成于该第二开孔的孔壁上,使该第二导电部形成于该绝缘层上。

8.如权利要求1所述的电子封装件,其特征为,该电子封装件还包括线路重布结构,其形成于该板体的第二侧上并电性连接该第二导电部。

9.一种电子封装件的制法,其特征为,该制法包括:

提供一具有相对的第一侧与第二侧的板体,该板体的第一侧上具有凹部与至少一第一开孔;

置放一电子组件于该凹部中;

形成介电层于该板体的第一侧与该电子组件上;

形成线路层于该介电层上,且该线路层电性连接该电子组件,又该线路层具有延伸至该第一开孔中的第一导电部;

形成至少一第二开孔于该板体的第二侧上,且该第二开孔与该第一开孔相通,令该第一开孔与第二开孔构成通孔;以及

形成第二导电部于该第二开孔中,使该第二导电部电性连接该第一导电部,以于该通孔中形成导电体。

10.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该板体为半导体板材。

11.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该凹部以激光钻孔、机械钻孔或蚀刻方式形成者。

12.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该第一开孔以激光钻孔、机械钻孔或蚀刻方式形成者。

13.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该凹部的深度大于该第一开孔的深度。

14.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该介电层还形成于该第一开孔的孔壁上,使该第一导电部形成于该介电层上。

15.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该第二开孔以激光钻孔、机械钻孔或蚀刻方式形成者。

16.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该制法还包括形成止蚀层于该第一开孔中,使该第一导电部形成于该止蚀层上。

17.如权利要求16所述的电子封装件的制法,其特征为,于形成该第二导电部之前,先移除该通孔中的止蚀层,令该第一导电部外露于该通孔。

18.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该制法还包括于形成该线路层之前,形成导电块体于该第一开孔中,令该第一导电部形成于该导电块体上。

19.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该制法还包括形成绝缘层于该第二开孔的孔壁上,使该第二导电部形成于该绝缘层上。

20.如权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征为,该制法还包括形成线路重布结构于该板体的第二侧上,且该线路重布结构电性连接该第二导电部。

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