[发明专利]一种LTPS阵列基板

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板，其包括多个低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述每一低温多晶硅薄膜晶体管包括一个基板；

形成于所述基板上的图形化的遮光层；

形成于所述基板和所述图形化的遮光层上的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的图像化的多晶硅层，其中，图像化的多晶硅层包括正投影于遮光层的第一部分和远离所述遮光层延伸的第二部分；

形成于所述图形化的多晶硅层和所述缓冲层上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的第一金属层，图形化所述第一金属层形成栅电极线和公共电极线，所述公共电极线、与所述公共电极线相对应的所述多晶硅层的第二部分以及夹持在形成所述公共电极线与所述第二部分之间的栅极绝缘层构成第一存储电容；

形成于所述栅极绝缘层和栅电极线和公共电极线的绝缘层；

形成于所述绝缘层上的第二金属层，图案化所述第二金属层形成漏极电极和源极电极，所述漏极电极延伸有延伸部，所述延伸部正投影于所述公共电极线，并且所述漏极电极的延伸部与所述公共电极线以及位于所述延伸部与公共电极线之间的绝缘层形成第二存储电容；所述第二存储电容与所述第一存储电容并联设置，以及

形成于所述绝缘层和图案化后的第二金属层上的平坦层。

2.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述LTPS阵列基板还包括形成于所述平坦层上的图形化的底层透明导电层，所述底层透明导电层与漏极电极的延伸部以及位于所述延伸部及底层透明导电层的平坦层形成第三存储电容，所述第三存储电容与所述第二存储电容及所述第一存储电容并联设置。

3.如权利要求2所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述LTPS阵列基板还包括形成于图案化的底层透明导电层上的保护层；以及形成于所述保护层上的顶层透明导电层，所述顶层透明导电层与所述底层透明导电层以及位于所述所述顶层透明导电层与所述底层透明导电之间的保护层形成第四存储电容，所述第四存储电容与所述第三存储电容、第二存储电容及第一存储电容并联设置。

4.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述第二金属层形成于所述绝缘层上且通过过孔与所述多晶硅层电连接。

5.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述顶层透明导电层形成于所述保护层上且通过过孔与所述漏极电极电连接。

6.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，位于所述漏极电极的延伸部上的平坦层的厚度小于所述平坦层其它位置的厚度。

7.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层采用氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的一种制成。

8.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与第二金属层的材料为钼铝合金、铬金属等导电材料。

9.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述平坦层材料为有机膜。

10.如权利要求1所述的一种LTPS阵列基板，其特征在于，所述平坦层采用光罩工艺形成。