[发明专利]一种LTPS阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种LTPS阵列基板。

背景技术

低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，减少了驱动IC，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度，从而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶体管液晶显示器逐步成为研究的热点。LTPS薄膜晶体管液晶显示器主要包括阵列基板和与其相对设置的彩膜基板。

而现有技术中的LTPS的阵列基板，通过由绝缘层隔开的底部公共电极与像素电极组成的电容作为与其对应的像素的存储电容，但是这样的结构存储电容较小，无法满足阵列基板电量饱和后的电容需求。

发明内容

本发明提供一种LTPS阵列基板，在不降低开口率的情况下，增加存储电容。

本发明提供一种LTPS阵列基板，其包括多个低温多晶硅薄膜晶体管，所述每一低温多晶硅薄膜晶体管包括一个基板；

形成于所述基板上的图形化的遮光层；

形成于所述基板和所述图形化的遮光层上的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的图像化的多晶硅层，其中，图像化的多晶硅层包括正投影于遮光层的第一部分和远离所述遮光层延伸的第二部分；

形成于所述图形化的多晶硅层和所述缓冲层上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的第一金属层，图形化所述第一金属层形成栅电极线和公共电极线，所述公共电极线、与所述公共电极线相对应的所述多晶硅层的第二部分以及夹持在形成所述公共电极线与所述第二部分之间的栅极绝缘层构成第一存储电容；

形成于所述栅极绝缘层和栅电极线和公共电极线的绝缘层；

形成于所述绝缘层上的第二金属层，图案化所述第二金属层形成漏极电极和源极电极，所述漏极电极延伸有延伸部，所述延伸部正投影于所述公共电极线，并且所述漏极电极的延伸部与所述公共电极线以及位于所述延伸部与公共电极线之间的绝缘层形成第二存储电容；所述第二存储电容与所述第一存储电容并联设置，以及

形成于所述绝缘层和图案化后的第二金属层上的平坦层。

其中，所述LTPS阵列基板还包括形成于所述平坦层上的图形化的底层透明导电层，所述底层透明导电层与漏极电极的延伸部以及位于所述延伸部及底层透明导电层的平坦层形成第三存储电容，所述第三存储电容与所述第二存储电容及所述第一存储电容并联设置。

其中，所述LTPS阵列基板还包括形成于图案化的底层透明导电层上的保护层；以及形成于所述保护层上的顶层透明导电层，所述顶层透明导电层与所述底层透明导电层以及位于所述所述顶层透明导电层与所述底层透明导电之间的保护层形成第四存储电容，所述第四存储电容与所述第三存储电容、第二存储电容及第一存储电容并联设置。

其中，所述第二金属层形成于所述绝缘层上且通过过孔与所述多晶硅层电连接。

其中，所述顶层透明导电层形成于所述保护层上且通过过孔与所述漏极电极电连接。

其中，位于所述漏极电极的延伸部上的平坦层的厚度小于所述平坦层其它位置的厚度。

其中，所述栅极绝缘层采用氧化硅、氮化硅与氮氧化硅中的一种制成。

其中，所述第一金属层与第二金属层的材料为钼铝合金、铬金属等导电材料。

其中，所述平坦层材料为有机膜。

其中，所述平坦层采用光罩工艺形成。

本发明的一种LTPS阵列基板通过图形化的多晶硅层上增加第二部分，并在第二部分上方形成漏极电极的延伸部，进而形成四个并联的存储电容，在不降低开口率的情况下，增加阵列基板的存储电容。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一较佳实施方式的LTPS阵列基板剖面示意图。

图2为本发明另一较佳实施方式的LTPS阵列基板剖面示意图，该LTPS阵列基板与图1所述不同之处在于部分所述平坦层的厚度。

具体实施方式