[发明专利]用于制作阵列基板的方法及阵列基板

权利要求书

1.一种用于制作阵列基板的方法，包括：

在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；

在所述覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在所述覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露所述覆盖层的镂空区；

对形成所述光阻区的基板进行处理以在所述多晶硅有源层中形成对应于所述光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于所述镂空区的离子重掺杂区；

对形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极，

所述不同光阻厚度的光阻区包括第一厚度的中心部及由所述中心部向外围两侧延伸的第二厚度的翼部，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，通过所述半透光光罩的不透光区对应地形成所述中心部，通过所述半透光光罩的半透光区对应地形成所述翼部，

所述覆盖层包括栅极绝缘层，

形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区包括：

对形成所述光阻区的基板进行离子重掺杂处理，以在所述多晶硅有源层中形成对应所述镂空区的离子重掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应所述中心部和所述翼部的部分没有离子掺杂；

对进行离子重掺杂处理后的基板同时进行干蚀刻处理和离子轻掺杂处理，以去除所述翼部对应的光阻，对应原所述中心部的光阻部分保留，同时以对应原所述中心部的光阻部分保留的部分为掩膜在所述多晶硅有源层中形成对应原所述翼部的离子轻掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应原所述中心部的部分没有离子掺杂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述半透光光罩的完全透光区对应地形成所述镂空区。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对形成离子轻掺杂区和离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极包括：

去除所述栅极绝缘层上的光阻，在所述栅极绝缘层上沉积导电材料并进行处理以形成栅极；

在形成栅极的基板上沉积绝缘材料形成层间绝缘层，并对所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行蚀刻处理以形成连接到所述离子重掺杂区的接触孔，在所述层间绝缘层上形成对应连接所述接触孔的源漏极金属层，并定义形成源漏极；

在所述源漏极金属层上依次形成有机平坦化层、共通电极、钝化层及所述钝化层上延伸至漏极的连接孔，并在所述钝化层上涂覆透明导电材料形成与所述漏极电气连接的像素电极。