[发明专利]用于制作阵列基板的方法及阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种用于制作阵列基板的方法及对应的阵列基板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)被用于制作新一代薄膜晶体管液晶面板。与传统非晶硅液晶面板相比，该种液晶面板具有反应速度较快、亮度高、解析度高与耗电量底等优点。

在采用LTPS技术制作液晶面板时，当LTPS TFT(低温多晶硅薄膜晶体管)中的沟道长度变短时，随着TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)的导通，该TFT靠近漏极处的电场强度变得很大。这就会导致漏极处的热载子效应加剧，进而使得TFT器件的可靠性变差。为提高TFT的可靠性，LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏极)结构的低温多晶硅薄膜晶体管应运而生。通过LDD调节漏极电压，降低漏极处的电场强度，从而提高低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性。

目前，在制作LDD结构的低温多晶硅薄膜晶体管时，有一种方法是在对栅极导电层进行干蚀刻时，通过侧向蚀刻工艺在光阻覆盖区下方形成SiNx Foot(氮化硅脚)。栅极绝缘层对应于SiNx Foot处的厚度大于栅极绝缘层对应于无光阻覆盖区的厚度。然后进行离子掺杂处理，在SiNx Foot处，因栅极绝缘层的厚度较大，最终在其下方的低温多晶硅有源层中形成离子轻掺杂区。栅极绝缘层对应于无光阻覆盖区的厚度较小，最终在其下方的低温多晶硅有源层中形成离子重掺杂区。这种方法节省了1道黄光和1道离子植入工艺，但在实现时，控制侧向蚀刻的难度较高。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种基于不需进行侧向蚀刻的LDD结构薄膜晶体管的阵列基板的制作方法及对应的阵列基板。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括：

在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；

在所述覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在所述覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露所述覆盖层的镂空区；

对形成所述光阻区的基板进行处理以在所述多晶硅有源层中形成对应于所述光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于所述镂空区的离子重掺杂区；

对形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极。

根据本发明的一个实施例，所述不同光阻厚度的光阻区包括第一厚度的中心部及由所述中心部向外围两侧延伸的第二厚度的翼部，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，通过所述半透光光罩的不透光区对应地形成所述中心部，通过所述半透光光罩的半透光区对应地形成所述翼部。

根据本发明的一个实施例，通过所述半透光光罩的完全透光区对应地形成所述镂空区。

根据本发明的一个实施例，所述覆盖层包括栅极绝缘层。

根据本发明的一个实施例，所述覆盖层包括栅极绝缘层及所述栅极绝缘层上的栅极导电层。

根据本发明的一个实施例，形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区包括：

对形成所述光阻区的基板进行离子重掺杂处理，以在所述多晶硅有源层中形成对应所述镂空区的离子重掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应所述中心部和所述翼部的部分没有离子掺杂；

对进行离子重掺杂处理后的基板进行干蚀刻处理以去除所述翼部对应的光阻，对应原所述中心部的光阻部分保留；

对干蚀刻处理后的基板进行离子轻掺杂处理，其中，在所述多晶硅有源层中形成对应原所述翼部的离子轻掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应原所述中心部的部分没有离子掺杂。

根据本发明的一个实施例，形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区包括：

对形成所述光阻区的基板进行干蚀刻处理以去除以下的部分：所述翼部、所述栅极导电层中对应原所述翼部的部分及部分所述栅极绝缘层对应所述翼部的部分、所述栅极导电层对应所述镂空区的部分及部分所述栅极绝缘层对应所述镂空区的部分、所述中心部的部分光阻，其中，干蚀刻处理后的栅极绝缘层对应原所述翼部的部分的厚度大于栅极绝缘层对应原所述镂空区的部分的厚度，所述栅极导电层对应原所述中心部的部分形成栅极；

对干蚀刻处理后的基板进行离子重掺杂处理以在所述多晶硅有源层中形成对应原所述翼部的离子轻掺杂区，在所述多晶硅有源层中形成对应原所述镂空区的离子重掺杂区。

根据本发明的一个实施例，对形成离子轻掺杂区和离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极包括：