[发明专利]发热体、振动器件、电子设备以及移动体有效
| 申请号： | 201410766674.2 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104734635B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林谦司;福泽晃弘 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于英慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发热 振动 器件 电子设备 以及 移动 | ||
1.一种发热体，其中，该发热体包含：
半导体基板，其形成有扩散电阻层；
第1电极，其用于向所述扩散电阻层施加第1电压；以及
第2电极，其用于向所述扩散电阻层施加第2电压，
所述发热体具有与所述扩散电阻层相比电阻率高的区域，在俯视所述半导体基板时，该电阻率高的区域与连接所述第1电极和所述第2电极的假想直线相交，
所述电阻率高的区域是形成有晶体管的区域。
2.根据权利要求1所述的发热体，其中，
所述电阻率高的区域是未形成所述扩散电阻层的区域。
3.根据权利要求1所述的发热体，其中，
所述第1电极和所述第2电极沿着所述半导体基板的外周缘被配置于同一边区域。
4.一种发热体，其中，该发热体包含：
半导体基板，其形成有扩散电阻层；
第1电极，其用于向所述扩散电阻层施加第1电压；以及
第2电极，其用于向所述扩散电阻层施加第2电压，
所述发热体具有与所述扩散电阻层相比电阻率高的区域，在俯视所述半导体基板时，该电阻率高的区域与连接所述第1电极和所述第2电极的假想直线相交，
所述扩散电阻层由在所述半导体基板的表面掺入有杂质的层构成。
5.根据权利要求4所述的发热体，其中，
所述电阻率高的区域是未形成所述扩散电阻层的区域。
6.根据权利要求4所述的发热体，其中，
所述第1电极和所述第2电极沿着所述半导体基板的外周缘被配置于同一边区域。
7.一种发热体，其中，该发热体包含：
半导体基板，其形成有扩散电阻层；
第1电极，其用于向所述扩散电阻层施加第1电压；以及
第2电极，其用于向所述扩散电阻层施加第2电压，
所述发热体具有与所述扩散电阻层相比电阻率高的区域，在俯视所述半导体基板时，该电阻率高的区域与连接所述第1电极和所述第2电极的假想直线相交，
所述扩散电阻层由在所述半导体基板的表面掺入有杂质的层和导体层构成。
8.根据权利要求7所述的发热体，其中，
所述电阻率高的区域是未形成所述扩散电阻层的区域。
9.根据权利要求7所述的发热体，其中，
所述第1电极和所述第2电极沿着所述半导体基板的外周缘被配置于同一边区域。
10.一种发热体，其中，该发热体包含：
半导体基板，其形成有扩散电阻层；
第1电极，其用于向所述扩散电阻层施加第1电压；以及
第2电极，其用于向所述扩散电阻层施加第2电压，
所述发热体具有与所述扩散电阻层相比电阻率高的区域，在俯视所述半导体基板时，该电阻率高的区域与连接所述第1电极和所述第2电极的假想直线相交，
所述扩散电阻层上具有绝缘体层，
在所述绝缘体层的表面，形成有与所述第1电极电连接的第1焊盘和与所述第2电极电连接的第2焊盘。
11.根据权利要求10所述的发热体，其中，
所述电阻率高的区域是未形成所述扩散电阻层的区域。
12.根据权利要求10所述的发热体，其中，
所述第1电极和所述第2电极沿着所述半导体基板的外周缘被配置于同一边区域。
13.根据权利要求10所述的发热体，其中，
所述第1焊盘在俯视时与所述第1电极重叠，
所述第2焊盘在俯视时与所述第2电极重叠。
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