[发明专利]使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法

权利要求书

1.一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于，它包括以下步骤：

（a）将冶金级硅浸入不同有机溶液中，分别超声处理15~30分钟；

（b）将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中，在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅；

（c）将所述氧化冶金级硅置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液中，反应1~10分钟得到剥离氧化层的冶金级硅；

（d）将所述剥离氧化层的冶金硅放入离子溅射仪中，真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅；

（e）将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中，在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥；

（f）使用胶带纸对干燥后的冶金级硅表面进行剥离得到多孔硅纳米线。

2.根据权利要求1所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：所述步骤（e）中，在40~80℃条件下超声1~5小时后，用去离子水和硝酸溶液交替冲洗除去其表面的银。

3.根据权利要求1所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：所述步骤（a）中，冶金级硅浸入有机溶液超声处理15~30分钟，再浸入去离子水中超声处理15~30分钟。

4.根据权利要求1或3所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：所述有机溶液为丙酮、乙醇或乙酸乙酯。

5.根据权利要求1所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：步骤（b）中，所述氧化溶液为质量浓度为50~80%的硝酸溶液或者质量浓度为10~50%的双氧水溶液。

6.根据权利要求1或5所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：所述步骤（b）中，在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅后将其用去离子水冲洗1~5遍。

7.根据权利要求1所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：步骤（e）中，所述强氧化物为过硫酸铵或H₂O₂。

8.根据权利要求1所述使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于：所述步骤（e）中，所述含氟气体为CF₄、SF₆和NF₃中的一种或者几种组成的混合气体，其流速为200~300sccm。