[发明专利]以碲化铋为基的热电材料的制备方法在审
| 申请号： | 201410768207.3 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104495763A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴燕青;贺贤汉;荒木暉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲化铋 热电 材料 制备 方法 | ||
1.以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，将原材料在真空气氛下合成；
第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；
第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气。
2.根据权利要求1所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第一步中，合成的温度为700℃～800℃。
3.根据权利要求2所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第一步中，合成的时间为60分钟。
4.根据权利要求1所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第二步中，安瓿瓶中的气氛为真空或者惰性气体。
5.根据权利要求1所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第三步中，将安瓿瓶设置在晶体生长装置上并通过晶体生长装置旋转安瓿瓶。
6.根据权利要求5所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第三步中，在抽气的过程中通过晶体生长装置对安瓿瓶进行加热。
7.根据权利要求6所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第三步中，加热的温度为650℃～750℃。
8.根据权利要求6所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第三步中，旋转的转动速度为2RPM～100RPM。
9.根据权利要求1所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，所述第三步中，抽气直至所述晶体生长装置内的石英管内的压力小于100Pa。
10.根据权利要求1所述的以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，晶体生长速度为10毫米/小时～35毫米/小时。
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