[发明专利]用于先进互连应用的混合铜结构

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

第一多个金属互连结构，设置在第一后段制程金属化层内，并且包括第一导电材料；以及

第二多个金属互连结构，在所述第一后段制程金属化层内且在与所述第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置，其中，所述第二多个金属互连结构包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料，所述第一导电材料被所述第二导电材料环绕并且从所述第二导电材料的底表面突出。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一多个金属互连结构具有第一宽度，而所述第二多个金属互连结构具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述第一宽度介于3nm至30nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，所述第一导电材料包括钴或钨，以及

所述第二导电材料包括铜。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一后段制程金属化层包括金属线层，所述金属线层包括被配置为提供横向互连的多条金属线。

6.根据权利要求5所述的集成芯片，还包括：

通孔层，包括邻接所述多条金属线中的一条或多条金属线的多个通孔，其中，所述多个通孔被配置为提供垂直互连。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，其中，所述多个通孔中的一个或多个通孔与所述第二多个金属互连结构中的一个或多个横向对齐并且延伸至与所述第二多个金属互连结构中的一个或多个垂直重叠的位置处。

8.根据权利要求6所述的集成芯片，其中，所述多个通孔包括所述第一导电材料。

9.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一多个金属互连结构通过层间介电层与所述第二多个金属互连结构分离。

10.根据权利要求9所述的集成芯片，还包括：

第一衬垫层，设置在所述第一多个金属互连结构和所述层间介电层之间；以及

第二衬垫层，设置在所述第二多个金属互连结构和所述层间介电层之间，其中，所述第一衬垫层和所述第二衬垫层包括不同的材料。

11.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

上面的金属线层，包括多条金属线，所述多条金属线包括所述第二导电材料。

12.一种集成芯片，包括：

第一多个金属互连结构，设置在第一金属线层内并且包括第一金属；

第二多个金属互连结构，在所述第一金属线层内且通过层间介电层在与所述第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置，其中，所述第二多个金属互连结构包括与所述第一金属不同的第二金属，所述第一金属被所述第二金属环绕并且从所述第二金属的底表面突出；以及

所述第一多个金属互连结构具有第一宽度，而所述第二多个金属互连结构具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

13.根据权利要求12所述的集成芯片，

其中，所述第一金属包括钴或钨，以及

所述第二金属包括铜。

14.根据权利要求12所述的集成芯片，还包括：

上面的金属线层，包括多条金属线，所述多条金属线包括所述第二金属。

15.根据权利要求12所述的集成芯片，其中，所述第一宽度介于3nm至30nm的范围内。

16.根据权利要求12所述的集成芯片，还包括：

通孔层，包括邻接所述第一金属线层的多个通孔，其中，所述多个通孔被配置为提供垂直互连。