[发明专利]OLED显示屏双面发光的装置及制备方法在审
| 申请号： | 201410769955.3 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105789239A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱映光;张国辉 | 申请（专利权）人： | 北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 显示屏 双面 发光 装置 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于：包括依次堆叠的基板、阳极层、有机发光层、阴极层和封装盖，其中，所述阳极层包括以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层；所述封装盖内侧设有以矩阵形式排布的与所述透明阳极层和非透明阳极层对位互补的不透明位置与透明位置。
2.如权利要求1所述的OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于，所述封装盖的不透明位置与所述基板上的非透明阳极层为交错排列。
3.如权利要求2所述的OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于，所述封装盖的不透明位置与所述基板上的非透明阳极层部分重叠。
4.如权利要求2或3所述的OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于，所述封装盖的透明位置设置彩色滤色膜。
5.如权利要求4所述的OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于，所述阴极层由透明或半透明的导电材料制成。
6.如权利要求1所述的OLED显示屏双面发光的装置，其特征在于：所述不透明位置所用材料选自Ag、Al、或其它易刻蚀的不透光物质。
7.如权利要求1所述的OLED显示屏双面发光的装置的制备方法，其特征在于，所述有机发光层为单发光层或叠层结构。
8.一种OLED显示屏双面发光的装置的制备方法，其特征在于，包括：
采用透明衬底，在所述衬底上依次沉积一层透明导电薄膜，和一层不透明的金属电极；
对不透明的金属电极进行刻蚀，形成以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层，从而形成多个发光区域；
在所述阳极层上依次蒸镀有机发光层以及透明阴极层，形成OLED器件；
采用透明基底，在所述透明基底的表面沉积一层不透明材料层；
对透明基底的不透明材料层进行刻蚀，形成以矩阵形式排布的与所述透明阳极层和非透明阳极层对位互补的不透明位置与透明位置，形成封装盖；
将所述OLED器件与所述封装盖进行对位封装。
9.如权利要求8所述的OLED显示屏双面发光的装置的制备方法，其特征在于，所述对不透明的金属电极进行刻蚀，形成以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层，从而形成多个发光区域的步骤包括：
刻蚀出阳极图案，将曝露出的透明导电薄膜区作为其中一个发光区域的阳极，其余不透明的金属区作为其中另一个发光区域的阳极。
10.如权利要求9所述的OLED显示屏双面发光的装置的制备方法，其特征在于，所述对位互补的步骤包括：
将所述不透明位置对应基板上的以透明电极作为阳极的发光区域，将所述透明位置对应基板上的以不透明的金属作为阳极的发光区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
