[发明专利]OLED显示屏双面发光的装置及制备方法在审
申请号: | 201410769955.3 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN105789239A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 朱映光;张国辉 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示屏 双面 发光 装置 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机发光显示技术领域,特别地,涉及一种OLED显示屏双面发光的装置及制备方法。
背景技术
OLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一,一般来说,有机发光显示装置包括多个以矩阵方式排列的OLED像素电路,各个OLED像素电路包括OLED器件及对应的驱动电路。有机发光显示装置使用有机发光二极管来显示图像,OLED通过电子与空穴的复合来产生光。有机发光显示装置具有高响应速度和低功耗的特点。典型的有机发光显示装置使用按像素形成的晶体管将与数据信号相应的电流提供给OLED,以使OLED发光。目前,具有双面显示功能的显示器在银行等领域应用广泛,但缺点是:双面显示器基本都是采用两块显示屏构成,存在厚度厚,体积大等问题。
公开号为CN1901218A的专利文献公开了一种双面发光OLED显示屏及其制作方法,包括透明衬底,所述的透明衬底上分设透明阳极层和不透明金属阳极层,对应透明阳极层设置不透光的阴极层,对应不透明金属阳极层设置半透光或透光的阴极层,两对对应阴阳电极之间依次设置各个有机材料功能层。该技术的显著缺点是:在制备阴极时依然需要通过掩膜板来控制阴极的厚度,这样导致了工艺复杂且分辨率受限于掩膜板的精度。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种OLED显示屏双面发光的装置,其结构更薄,并且能解决工艺复杂的技术问题。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:一种OLED显示屏双面发光的装置,其特征在于:包括依次堆叠的基板、阳极层、有机发光层、阴极层和封装盖,其中,所述阳极层包括以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层;所述封装盖内侧设有以矩阵形式排布的与所述透明阳极层和非透明阳极层对位互补的不透明位置与透明位置。
进一步地,所述封装盖的不透明位置与所述基板上的非透明阳极层为交错排列。
进一步地,所述封装盖的不透明位置与所述基板上的非透明阳极层部分重叠。
进一步地,所述封装盖的透明位置设置彩色滤色膜。
进一步地,所述阴极层由透明或半透明的导电材料制得。
进一步地,所述不透明位置所用材料选自Ag,Al,或其它易刻蚀的不透光物质。
进一步地,所述有机发光层为单发光层或叠层结构。
本发明的另一目的在于一种OLED显示屏双面发光的装置的制备方法,其特征在于,包括:
采用透明衬底,在所述衬底上依次沉积一层透明导电薄膜,和一层不透明的金属电极;
对不透明的金属电极进行刻蚀,形成以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层,从而形成多个发光区域;
在所述阳极层上依次蒸镀有机发光层以及透明阴极层,形成OLED器件;
采用透明基底,在所述透明基底的表面沉积一层不透明材料层;
对透明基底的不透明材料层进行刻蚀,形成以矩阵形式排布的与所述透明阳极层和非透明阳极层对位互补的不透明位置与透明位置,形成封装盖;
将所述OLED器件与所述封装盖进行对位封装。
进一步地,所述对不透明的金属电极进行刻蚀,形成以矩阵形式排布的透明阳极层和非透明阳极层,从而形成多个发光区域的步骤包括:刻蚀出阳极图案,将曝露出的透明导电薄膜区作为其中一个发光区域的阳极,其余不透明的金属区作为其中另一个发光区域的阳极。
进一步地,所述对位互补的步骤包括:将所述不透明位置对应基板上的以透明电极作为阳极的发光区域,将所述透明位置对应基板上的以不透明的金属作为阳极的发光区域。
本发明相对于现有技术具有以下实质性特点和进步:
第一,结构更薄,在基板上具有多个发光区域,还包括与基板对位互补的封装盖,封装盖具有多个不透明位置与透明位置,实现双面发光,比较传统的把两个显示屏直接背对背粘起来,或通过双面蒸镀然后再加两个封装盖的现有技术,厚度更低。
第二,成本更低,在透明衬底上依次蒸镀有机发光层以及阴极,和传统的双面显示的制备方法相比,制备阴极层时无需掩膜板,从而具备工艺简单、生产成本低的优点。
第三,封装盖的透明位置可设置彩色滤色膜,可以提高OLED显示屏的显色指数,使得本发明可以用于彩色显示,并且,在显示的效果上也更适合多方面的应用需求。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的