[发明专利]FINFET掺杂方法及其结构在审
| 申请号： | 201410770301.2 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280701A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;吕伟元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 掺杂 方法 及其 结构 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有从所述衬底处延伸的鳍；
在所述鳍上形成原位掺杂层；以及
在所述鳍上形成所述原位掺杂层之后，在所述原位掺杂层上形成未掺杂层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述鳍上形成所述原位掺杂层还包括在所述鳍上外延生长原位掺杂的阱区。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述原位掺杂层上形成所述未掺杂层还包括在所述原位掺杂层上外延生长未掺杂的沟道区。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述原位掺杂层的厚度介于约10nm和40nm之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述未掺杂层的厚度介于约10nm和40nm之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述未掺杂层的掺杂剂浓度小于约1×1017cm-3。
7.根据权利要求3所述的方法，还包括：形成邻近于所述未掺杂的沟道区并且位于所述未掺杂沟道区的两侧上的源极区和漏极区。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述鳍上形成所述原位掺杂层之前，在所述衬底上方沉积介电层；以及
实施第一介电质图案化步骤以暴露从所述衬底延伸的第一鳍；
其中，在所述鳍上形成所述原位掺杂层还包括：在暴露的所述第一鳍上形成所述原位掺杂层；以及
在所述原位掺杂层上形成所述未掺杂层还包括：在暴露的所述第一鳍上形成的所述原位掺杂层上形成所述未掺杂层。
9.一种方法，包括：
提供衬底，所述衬底包括从所述衬底处延伸的多个鳍；
形成使所述多个鳍中的每个鳍彼此隔离的隔离区；
在所述多个鳍的第一组鳍上形成原位掺杂的N阱区；以及
在所述第一组鳍上形成所述原位掺杂的N阱区之后，在所述原位掺杂的N阱区上形成未掺杂沟道区。
10.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底具有鳍；
原位掺杂层，形成在所述鳍上方；
未掺杂层，形成在所述原位掺杂层上方；以及
栅叠件，形成在所述未掺杂层上方；
其中，所述原位掺杂层包括阱区；以及
所述未掺杂层包括沟道区。
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