[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括位于衬底基板表面的薄膜晶体管、设置于所述薄膜晶体管上方的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层表面的透明电极层，其特征在于，所述第一钝化层包括：

第一子薄膜层，以及位于所述第一子薄膜层表面与所述透明电极层相接触的第二子薄膜层；

其中，所述第二子薄膜层的薄膜致密度大于所述第一子薄膜层；

在所述透明电极层为公共电极层的情况下，所述阵列基板还包括，位于所述薄膜晶体管与所述第一钝化层之间的第二钝化层、依次位于所述第二钝化层表面的有机绝缘层、像素电极层；

所述第一钝化层还包括，与所述有机绝缘层和所述像素电极层相接触的第三子薄膜层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

构成所述第一子薄膜层的材料为二氧化硅；

构成所述第二子薄膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，构成所述第三子薄膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子薄膜层的厚度为2000埃以下；

所述第二子薄膜层或所述第三子薄膜层的厚度为100～500埃。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体有源层由氧化物半导体材料构成。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上，通过构图工艺形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上方，通过化学气相沉积法形成第一子薄膜层；

在所述第一子薄膜层的表面，通过化学气相沉积法形成第二子薄膜层；其中，所述第一子薄膜层与所述第二子薄膜层构成第一钝化层，所述第二子薄膜层的薄膜致密度大于所述第一子薄膜层；

在所述第一钝化层的表面，通过构图工艺形成透明电极层；

在所述透明电极层为公共电极层的情况下，在形成薄膜晶体管的步骤之后，形成所述第一子薄膜层的步骤之前，所述方法包括：在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的表面，沉积第二钝化层；在所述第二钝化层的表面形成有机绝缘层；在所述有机绝缘层的表面，通过构图工艺形成对应所述薄膜晶体管的漏极位置处的过孔；在所述有机绝缘层的表面形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连接；

在所述像素电极层以及所述有机绝缘层的表面形成第三子薄膜层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

构成所述第一子薄膜层的材料为二氧化硅；

构成所述第二子薄膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，构成所述第三子薄膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述第一子薄膜层的厚度为2000埃以下；

所述第二子薄膜层或所述第三子薄膜层的厚度为100～500埃。

11.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的半导体有源层由氧化物半导体材料构成。