[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

具体的，TFT10的结构如图1所示，包括栅极100，依次位于栅极表面的栅极绝缘层101、半导体有源层102，以及位于半导体有源层102两侧的源极103和漏极104。当向栅极100施加大于或等于TFT10的临界电压时，半导体有源层102形成通道，使得源极103与漏极104导通，以实现TFT10的导通。

为了避免TFT10的电学性能受到影响，需要对半导体有源层102的表面进行保护，由于制作SiO₂(二氧化硅)薄膜具有优越的电绝缘性和工艺可行性，因此可以在半导体有源层102的表面形成由SiO₂构成的SiO₂钝化层105。

然而，在沉积SiO₂薄膜的过程中，受温度的影响氧化加速，使得形成的SiO₂薄膜结构较为疏松。因此SiO₂薄膜的表面具有很多的小孔，导致SiO₂薄膜表面的附着力下降。这样一来，采用构图工艺，在由SiO₂构成的半导体有源层102表面形成像素电极层106过程中，在刻蚀工艺之后，将覆盖像素电极层图案的光刻胶进行剥离时，会造成像素电极层106的脱离，从而严重影响产品的质量。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够提高钝化层与透明电极层的附着力，避免透明电极层在光刻胶剥离的过程中脱落。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括位于衬底基板表面的薄膜晶体管、设置于所述薄膜晶体管上方的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层表面的透明电极层，所述第一钝化层包括：

第一子薄膜层，以及位于所述第一子薄膜层表面与所述透明电极层相接触的第二子薄膜层；

其中，所述第二子薄膜层的薄膜致密度大于所述第一子薄膜层。

本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置包括如上所述的任意一种阵列基板。

本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上，通过构图工艺形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上方，通过化学气相沉积法形成第一子薄膜层；

在所述第一子薄膜层的表面，通过化学气相沉积法形成第二子薄膜层；其中，所述第一子薄膜层与所述第二子薄膜层构成第一钝化层，所述第二子薄膜层的薄膜致密度大于所述第一子薄膜层；

在所述第一钝化层的表面，通过构图工艺形成透明电极层。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置。其中，所述阵列基板包括位于衬底基板表面的薄膜晶体管；为了避免薄膜晶体管或位于所述薄膜晶体管表面的其它导电膜层的电学性能受到影响，在薄膜晶体管上方还设置有第一钝化层；在第一钝化层表面设置有透明电极层。第一钝化层包括第一子薄膜层，以及位于第一子薄膜层表面与所述透明电极层相接触的第二子薄膜层；其中，第二子薄膜层的薄膜致密度大于第一子薄膜层。由于薄膜致密度越高，形成的薄膜层的结构越紧致，薄膜层表面的小孔数量越少。因此，在第一钝化层中，将薄膜致密度较高的第二子薄膜层与透明电极层相接触，可以提高透明电极层与第二子薄膜层之间的结合力。这样一来，可以在制作透明电极层的构图工艺中，在对位于透明电极层表面的光刻胶进行剥离时，能够避免透明电极层从第二子薄膜层的表面脱落。从而提高了产品的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2b为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；