[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410775006.6 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105789285B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杨绍明;许健;艾拉卡纳哈里·布塔斯哇米·贺玛 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张旭东 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
一基板；
一第一井区，位于该基板内，其中该第一井区具有一第一导电类型；
一第二井区，位于该基板内，且相邻于该第一井区，其中该第二井区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；
一栅极结构，位于该基板上，且覆盖部分该第一和第二井区；
一第一阳极掺杂区，位于该第一井区中，其中该第一阳极掺杂区具有该第二导电类型；
一第二阳极掺杂区，位于该第一井区中，且相邻于该第一阳极掺杂区，其中该第二阳极掺杂区具有该第一导电类型；以及
一第三阳极掺杂区，位于该第二阳极掺杂区的正下方，其中该第一阳极掺杂区的一顶部与该第三阳极掺杂区的一顶部分别与该基板的一顶面相距不同距离，其中该第三阳极掺杂区具有该第二导电类型，且该第三阳极掺杂区的掺质浓度低于该第一阳极掺杂区的掺质浓度；
一第一缓冲掺杂区，位于该第一井区中，其中该第一缓冲掺杂区具有该第一导电类型；
一第二缓冲掺杂区，位于该第二井区中，其中该第二缓冲掺杂区具有该第一导电类型；
一阴极掺杂区，位于该第二缓冲掺杂区中，其中该阴极掺杂区具有该第一导电类型；
一第一掺杂区，位于该第二井区中，且相邻于该第二缓冲掺杂区，其中该第一掺杂区具有该第二导电类型；以及
该第一阳极掺杂区、该第二阳极掺杂区和该第三阳极掺杂区位于该第一缓冲掺杂区中；
其中，该第一阳极掺杂区和该第三阳极掺杂区一起包围该第二阳极掺杂区。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第二阳极掺杂区借由该第一阳极掺杂区和该第三阳极掺杂区与该第一井区隔开。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第三阳极掺杂区的该顶部与该第一阳极掺杂区的一底部和该第二阳极掺杂区的一底部相连。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
一第一顶部掺杂区，位于该第一井区中且位于该栅极结构及该第一缓冲掺杂区之间，其中该第一顶部掺杂区具有该第二导电类型。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该第一顶部掺杂区的深度及掺质浓度从接近该栅极结构的一第一端至接近该第一缓冲掺杂区的一第二端呈梯度递减。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包括：
一第二顶部掺杂区，位于该第一顶部掺杂区中且位于该栅极结构及该第一缓冲掺杂区之间，其中该第二顶部掺杂区具有该第一导电类型。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该第二顶部掺杂区的深度及掺质浓度为均一。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该基板包括一外延层，具有该第一导电类型，其中该第一井区和该第二井区位于该外延层中。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一掺杂区、该阴极掺杂区、该第一阳极掺杂区、该第二阳极掺杂区接近于该基板的一顶面。
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