[发明专利]集成电路及形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

下部电介质层；

下部金属互连件，其安置于所述下部电介质层中；

层间电介质层，其安置于所述下部电介质层及所述下部金属互连件上方；

双镶嵌上部金属互连件，其安置于所述层间电介质层中在所述下部金属互连件上方，所述双镶嵌上部金属互连件包含双镶嵌衬里及双镶嵌填充金属；

双镶嵌通孔，其安置于所述双镶嵌上部金属互连件与所述下部金属互连件之间，所述双镶嵌通孔包含所述双镶嵌衬里及所述双镶嵌填充金属，所述双镶嵌通孔与所述下部金属互连件电连接，所述双镶嵌通孔中的所述双镶嵌衬里延伸到所述下部金属互连件上，所述双镶嵌上部金属互连件的宽度为所述双镶嵌通孔的宽度的至少两倍；以及

电介质槽，其安置于所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述双镶嵌通孔，所述电介质槽与所述双镶嵌通孔之间的横向分离小于所述双镶嵌通孔的所述宽度的一半。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述电介质槽为延伸到所述双镶嵌上部金属互连件的第一边缘的第一电介质槽；且所述集成电路包括安置于所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述双镶嵌通孔的第二电介质槽，所述第二电介质槽延伸到所述双镶嵌上部金属互连件的第二相对边缘，所述第二电介质槽与所述双镶嵌通孔之间的横向分离小于所述双镶嵌通孔的所述宽度的一半。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述电介质槽为由所述双镶嵌上部金属互连件环绕的第一电介质槽；且

所述集成电路包括安置于所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述双镶嵌通孔与所述第一电介质槽相对的第二电介质槽，所述第二电介质槽由所述双镶嵌上部金属互连件环绕，所述第二电介质槽与所述双镶嵌通孔之间的横向分离小于所述双镶嵌通孔的所述宽度的一半。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电介质槽由所述双镶嵌上部金属互连件环绕。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述电介质槽由所述双镶嵌上部金属互连件环绕；

所述双镶嵌通孔为第一双镶嵌通孔；且

所述集成电路包括安置于所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述电介质槽与所述第一双镶嵌通孔相对的第二双镶嵌通孔，所述第二双镶嵌通孔与所述下部金属互连件电连接，所述第二双镶嵌通孔中的所述双镶嵌衬里延伸到所述下部金属互连件上，所述第二双镶嵌通孔与所述电介质槽之间的横向分离小于所述第二双镶嵌通孔的宽度的一半。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述电介质槽为由所述双镶嵌上部金属互连件环绕的第一电介质槽；

所述集成电路包括安置于所述双镶嵌上部金属互连件中接近于所述第一电介质槽的第二电介质槽，所述第二电介质槽由所述双镶嵌上部金属互连件环绕；

所述双镶嵌通孔为第一双镶嵌通孔；

所述集成电路包括在所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述第一电介质槽与所述第一双镶嵌通孔相对的第二双镶嵌通孔，所述第二双镶嵌通孔与所述下部金属互连件电连接，所述第二双镶嵌通孔中的所述双镶嵌衬里延伸到所述下部金属互连件上，所述第二双镶嵌通孔与所述第一电介质槽之间的横向分离小于所述第二双镶嵌通孔的宽度的一半；

所述集成电路包括在所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述第二电介质槽的第三双镶嵌通孔，所述第三双镶嵌通孔与所述下部金属互连件电连接，所述第三双镶嵌通孔中的所述双镶嵌衬里延伸到所述下部金属互连件上，所述第三双镶嵌通孔与所述第二电介质槽之间的横向分离小于所述第三双镶嵌通孔的宽度的一半；且

所述集成电路包括安置于所述双镶嵌上部金属互连件中邻近于所述第二电介质槽与所述第三双镶嵌通孔相对的第四双镶嵌通孔，所述第四双镶嵌通孔与所述下部金属互连件电连接，所述第四双镶嵌通孔中的所述双镶嵌衬里延伸到所述下部金属互连件上，所述第四双镶嵌通孔与所述第二电介质槽之间的横向分离小于所述第四双镶嵌通孔的宽度的一半。