[发明专利]扇出晶圆封装结构有效
| 申请号： | 201410781803.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104392975A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 高国华;郭飞;宣慧 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扇出晶圆 封装 结构 | ||
1.一种扇出晶圆封装结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中包括第一芯片；
依次形成于所述衬底上的一层或多层封装层，所述封装层包括：
与所述第一芯片电连接的导电互连结构；设置于所述第一芯片未形成所述导电互连结构部分的第二芯片，所述第二芯片具有金属垫；填充于所述导电互连结构和第二芯片之间的介质层，所述介质层露出所述导电互连结构以及第二芯片的金属垫；
形成在所述封装层上的绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。
2.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述第一芯片表面还形成金属垫，所述金属垫上形成有钝化层，所述金属垫从所述钝化层中露出。
3.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述第二芯片的高度小于所述第二芯片所在的导电互连结构的高度。
4.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述第二芯片粘贴在所述第一芯片上。
5.如权利要求4所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述第一芯片未形成所述导电互连结构的部分形成有绝缘粘附层；所述第二芯片通过所述绝缘粘附层粘贴于所述第一芯片上。
6.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述导电互连结构的材料为铜。
7.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述导电互连结构为铜柱结构端子。
8.如权利要求1所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述引线结构包括：形成于所述封装层上的导电布线结构，所述导电布线结构与导电互连结构或者第二芯片电连接，并位于所述绝缘层中；
形成于露出的导电布线结构表面的定位金属层，所述定位金属层位于所述绝缘层中，并从所述绝缘层中露出，所述定位金属层的表面与所述绝缘层表面相齐平；
形成于所述定位金属层表面的凸点结构，所述凸点结构凸出于所述绝缘层。
9.如权利要求8所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述凸点结构的结构为球形或者柱形结构。
10.如权利要求8所述的扇出晶圆封装结构，其特征在于，所述凸点结构的材料为铜。
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