[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201410784278.2 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN104716160A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 尹柱元;李承珉;李一正;李正浩;任忠烈;沈秀妍 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
有源层,设置在所述基板上并包括源极区域、沟道区域和漏极区域;
第一绝缘层,设置在所述基板和所述有源层上;
栅极电极,设置在所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上并被图案化为暴露发光区域中的所述第一绝缘层;
源极电极和漏极电极,设置在所述第二绝缘层上并设置为经由形成在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层中的接触孔而与所述有源层接触;
第一电极,设置在所述发光区域的所述第一绝缘层上,使得所述第一电极与所述源极电极或所述漏极电极接触,并包括透明导电层和透反导电层;
第三绝缘层,设置在所述第二绝缘层上,并被图案化为暴露所述发光区域中的所述第一电极;
有机薄膜层,设置在所述发光区域的暴露的第一电极上;以及
第二电极,设置在所述有机薄膜层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述基板包括具有大于或等于90%的透射率的玻璃、石英和树脂中的一种。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述有源层包括多晶硅或氧化物半导体。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中所述氧化物半导体包括氧化锌(ZnO)。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置,其中所述氧化物半导体用镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)中的至少一种的离子掺杂。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
电容器的下电极,在所述有源层的一侧由与所述有源层相同的材料或层形成在所述基板上;以及
电容器的上电极,在所述栅极电极的一侧设置在所述第一绝缘层上并与所述下电极重叠。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
焊盘部分,在所述源极电极或所述漏极电极的一侧设置在所述第二绝缘层上,
其中所述焊盘部分包括导电层、所述透明导电层和所述透反导电层,所述导电层包括与所述源极电极、所述漏极电极相同的材料。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述透明导电层包括具有大于或等于90%的透射率的铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、钨掺杂的铟氧化物(IWO)中的一种。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述透反导电层包括具有在从5%至60%的范围内的反射率的铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)中的一种或其合金。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述透反导电层具有在从至的范围内的厚度。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极通过堆叠所述透明导电层、所述透反导电层和所述透明导电层而形成。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二电极包括具有比所述第一电极低的功函数的金属或包含所述金属的合金。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中所述金属包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)和镁(Mg)中的一种。
14.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
有源层,设置在所述基板上并包括源极区域、沟道区域和漏极区域;
第一绝缘层,设置在所述基板和所述有源层上;
栅极电极,设置在所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上且图案化为暴露发光区域中的所述第一绝缘层;
源极电极和漏极电极,设置在所述第二绝缘层上,设置为经由形成在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层中的接触孔而与所述有源层接触,并包括透明导电层和透反导电层;
第一电极,设置在所述发光区域的所述第一绝缘层上,使得所述第一电极与所述源极电极或所述漏极电极接触,并包括所述透明导电层和所述透反导电层;
第三绝缘层,设置在所述第二绝缘层和所述第一电极上并被图案化为暴露所述发光区域中的所述第一电极;
有机薄膜层,设置在所述发光区域的暴露的第一电极上;以及
第二电极,设置在所述有机薄膜层上。
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