[发明专利]有机发光显示装置

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种底发射型有机发光显示装置。

背景技术

当预定的电压施加到有机发光二极管的阳极电极和阴极电极时，通过阳极注入的空穴和通过阴极注入的电子在有机发光二极管的有机发光层中复合，并且光通过在此过程中产生的能量差而被发射。

由于有机发光二极管是自发光的，所以有机发光显示装置可以被制造为具有底发射结构和顶发射结构，在底发射结构中所发射的光朝向其中形成薄膜晶体管(TFT)的基板运动，在顶发射结构中所发射的光从TFT的上部向上运动。

在底发射结构中，由于光朝向其中形成TFT的基板运动，所以包括TFT的配线部分从显示区域排除，而在顶发射结构中，光从TFT向上发射，可以保证相对大的显示区域。

然而，相对于底发射结构，顶发射结构在制造工艺期间需要大量的掩模，因此近来就降低制造成本来说偏向于采用底发射结构。

发明内容

本发明的一个实施例涉及能够降低制造成本的有机发光显示装置。

本发明的一个实施例涉及能够提高发光效率和可靠性的有机发光显示装置。

有机发光显示装置的一个实施例包括：基板；有源层，设置在基板上且包括源极区域、沟道区域和漏极区域；第一绝缘层，设置在基板和有源层上；栅极电极，设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上且图案化为暴露发光区域中的第一绝缘层；源极电极和漏极电极，设置在第二绝缘层上且设置为通过形成在第二绝缘层和第一绝缘层中的接触孔而与有源层接触；第一电极，设置在发光区域的第一绝缘层上，使得第一电极与源极电极或漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导电层(transflective conductive layer)；第三绝缘层，设置在第二绝缘层上，并被图案化为暴露发光区域中的第一电极；有机薄膜层，设置在发光区域的暴露的第一电极上；以及第二电极，设置在有机薄膜层上。

有机发光显示装置的一个实施例包括：基板；有源层，设置在基板上且包括源极区域、沟道区域和漏极区域；第一绝缘层，设置在基板和有源层上；栅极电极，设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上且图案化为暴露发光区域中的第一绝缘层；源极电极和漏极电极，设置在第二绝缘层上，设置为通过形成在第二绝缘层和第一绝缘层中的接触孔而与有源层接触，并包括透明导电层和透反导电层；第一电极，设置在发光区域的第一绝缘层上，使得第一电极与源极电极或漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导电层；第三绝缘层，设置在第二绝缘层上，并被图案化为暴露发光区域中的第一电极；有机薄膜层，设置在发光区域的暴露的第一电极上；以及第二电极，设置在有机薄膜层上，

基板可以包括具有大于或等于约90％的透射率的玻璃、石英和树脂中的一种。

有源层可以包括多晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化锌(ZnO)，并可以用镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)和钒(V)中的至少一种的离子掺杂。

有机发光显示装置还可以包括：电容器的下电极，在有源层的一侧由与有源层相同的材料或层形成在基板上；以及电容器的上电极，在栅极电极的一侧设置在第一绝缘层上以与下电极重叠。

有机发光显示装置还可以包括：焊盘部分，在源极电极或漏极电极的一侧设置在第二绝缘层上，其中焊盘部分可以包括导电层，该导电层包括与源极电极、漏极电极、透明导电层和透反导电层相同的材料。

透明导电层可以包括具有大于或等于约90％的透射率的铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)和钨掺杂的铟氧化物(IWO)中的一种。

透反导电层可以包括具有在从约5％至约60％的范围内的反射率的铝(Al)、镍(Ni)和镧(La)当中的金属中的一种或其合金，并可以形成为具有从约至约的范围内的厚度。

第一电极可以通过堆叠透明导电层、透反导电层和透明导电层而形成。第二电极可以包括具有比第一电极低的功函数的金属或包含该金属的合金。该金属可以包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)和镁(Mg)中的一种。

附图说明

在下文将参照附图更充分地描述某些实施例；然而，它们可以以不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将透彻和完整，并向本领域技术人员充分传达某些实施例的范围。

在附图中，为了清楚起见，尺寸可以被夸大。将理解，当一元件被称为“在”两个元件“之间”时，它可以是在两个元件之间的唯一的元件，或者还可以存在一个或多个插入元件。相同的附图标记通常始终指代相同的元件。