[发明专利]一种侧墙的形成方法有效
| 申请号： | 201410784934.9 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789132B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张学海;李俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 方法 | ||
1.一种侧墙的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
在半导体衬底(100)上设置相互独立的高压器件栅(201)、选择栅(202)和浮栅(203)；
在所述半导体衬底(100)上、所述高压器件栅(201)、所述选择栅(202)和所述浮栅(203)上设置ONO层(300)；
在所述ONO层(300)上设置多晶硅(400)；
对所述多晶硅(400)进行刻蚀，在所述浮栅(203)上形成控制栅(500)；
在所述ONO层(300)和所述控制栅(500)上设置侧墙材料(600)；
对所述侧墙材料(600)进行刻蚀并以所述ONO层(300)的氮化硅层(302)为刻蚀终点，得到所述侧墙(700)；以及
去除裸露的所述氮化硅层(302)。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料(600)为氧化硅。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述ONO层(300)和所述控制栅(500)上设置所述侧墙材料(600)的过程采用低压化学气相沉积方法。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述在ONO层(300)和控制栅(500)上设置侧墙材料(600)的过程中实施所述低压化学气相沉积方法时，所述沉积温度为500～750℃，TEOS的流量为100～250sccm。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述侧墙材料(600)进行刻蚀的过程采用等离子体刻蚀工艺实施。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙(700)的厚度为所述ONO层(300)的厚度为
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成控制栅(500)的过程包括：
在所述多晶硅(400)上设置光刻胶(800)；
对所述光刻胶(800)进行光刻，保留对应于所述浮栅(203)的所述光刻胶(800)；
在所述光刻胶(800)的保护下对所述多晶硅(400)进行刻蚀，得到所述控制栅(500)；
去除所述光刻胶(800)。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述多晶硅(400)的刻蚀采用等离子体刻蚀工艺实施。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺中多晶硅(400)对氧化硅的刻蚀选择性为25:1～70:1。
10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法形成所述控制栅(500)之后还包括对所述半导体衬底(100)进行轻掺杂漏注入的过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
