[发明专利]一种红外光源及其制备方法

权利要求书

1.一种红外光源，其特征在于，包含：衬底、反射层、支撑体与图形化电极；

所述反射层淀积在所述衬底之上；所述支撑体形成在所述反射层上；所述图形化电极淀积在所述支撑体上，

其中，所述支撑体的横截面的图形与所述图形化电极的图形相同且重合。

2.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述支撑体的厚度大于6微米。

3.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述支撑体采用二氧化硅SiO₂。

4.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述反射层采用铝Al、金Au或者银Ag。

5.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述图形化电极的材料为以下任意一种：

铂金、镍铬合金、硅化钨WSi、氮化钛TiN或者多晶硅。

6.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述衬底采用单晶硅。

7.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，还包含隔离热绝缘层；

所述隔离热绝缘层在所述衬底与所述反射层之间。

8.根据权利要求7所述的红外光源，其特征在于，所述隔离热绝缘层采用二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，还包含钝化吸收层；

所述钝化吸收层淀积在每一个所述图形化电极上。

10.根据权利要求9所述的红外光源，其特征在于，所述钝化吸收层的材料为以下任意一种：

氮化硅、氧化硅、氮化钛、金黑或者铂黑。

11.根据权利要求1所述的红外光源，其特征在于，所述衬底的中间部分被挖空；其中，所述衬底的中间部分位于所述支撑体的下方。

12.一种红外光源的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上淀积反射层薄膜；

在所述反射层薄膜上淀积支撑层薄膜；

在所述支撑层薄膜上淀积图形化电极；

刻蚀掉所述支撑层薄膜上、所述图形化电极之外的部分，得到支撑体；

其中，所述支撑体的横截面的图形与所述图形化电极的图形相同且重合。

13.根据权利要求12所述的红外光源的制备方法，其特征在于，所述支撑层薄膜的材料为二氧化硅SiO₂。

14.根据权利要求12所述的红外光源的制备方法，其特征在于，在所述衬底上淀积反射层薄膜的步骤中，包含以下子步骤：

在所述衬底上淀积隔离热绝缘层薄膜；

在所述隔离热绝缘层薄膜上淀积反射层薄膜。

15.根据权利要求12所述的红外光源的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀掉所述支撑层薄膜上、所述图形化电极之外的部分，得到支撑体的步骤之后，包含以下步骤：

在所述图形化电极上淀积钝化吸收层。

16.根据权利要求12所述的红外光源的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀掉所述支撑层薄膜上、所述图形化电极之外的部分，得到支撑体的步骤之后，还包含以下步骤：

挖空支撑体下方的衬底。