[发明专利]基座旋转是否正常的监测方法及装卸载基片的方法

说明书

本发明提供一种基座旋转是否正常的监测方法及装卸载基片的方法，在基座上设置有判断件，在判断件所在基座的一侧设置有判断件检测装置，判断件检测装置对应在基座上的判断件检测位置位于判断件所在的基座圆周上，判断件和基座表面分别位于判断件检测位置时判断件检测装置检测的信息不同，该监测方法至少包括：S1，对基座进行定位；S2，驱动基座旋转判断件旋转至判断件检测位置所需的时间；S3，判断件检测装置检测当前其检测位置处的信息，根据该信息判断判断件是否旋转至检测位置，若是，判定基座旋转正常；若否，则判定基座旋转异常。该基座旋转是否正常的监测方法可以监测基座旋转是否正常，以避免基座旋转异常对工艺造成影响。

技术领域

本发明属于半导体设备制造领域，具体涉及一种基座旋转是否

正常的监测方法及装卸载基片的方法。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)方法是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法。目前，通常采用自动控制的机械手进行装卸载基片，并且在装卸载之前需要对基座进行定位，以保证基座和机械手之间的相对位置准确，从而保证装卸载的准确性。

目前存在一种基座原点定位系统，如图1所示，在基座10上表面上设置有凹槽11，预设基座的原点位置为基座10的上表面上凹槽11所在位置处，该基座原点定位系统包括控制单元、驱动单元和检测单元，其中，驱动单元用于驱动基座旋转；检测单元包括激光位移传感器12，激光位移传感器12设置在凹槽11运动轨迹(如图中虚线所示)正上方的任意位置处，用于在基座10旋转的过程中向基座10发送检测信号，并接受由基座10上表面反射的信号，且将其发送至控制单元；控制单元根据该反射信号判断检测的基座10的当前位置是否为凹槽11所在位置，若是，该凹槽11所在位置为原点位置，基座定位之后如图1所示的状态，从而准确地实现基座定位。由于基座10上沿其周向均匀设置有五个片槽1～5，且基座旋转一周的脉冲数为20000个，因此，在原点位置确定后，片槽1～5顺时针旋转至装片位置的脉冲数即可确定，分别为2000、6000、10000、14000和18000个，从而可以在其旋转至装片位置时对其装载基片。

然而，在实际应用中不可避免地会存在以下技术问题：由于驱动单元和基座通过石英件连接在一起，即二者不是硬连接，因此，驱动单元驱动基座旋转的过程中，往往会存在基座与驱动单元未同步旋转的问题，例如，驱动单元的旋转电机转了2000个脉冲，而基座仅转了1800个脉冲，这会导致片槽未旋转至装片位置，即，片槽与装片位置存在偏差，在这种情况下，继续依次进行装载基片、沉积工艺和机械手卸载基片，不仅会造成机械手在卸载基片的过程中取片困难，而且会容易造成基片在沉积工艺之前就出现碎片而导致废片，从而造成产率低、工艺的可靠性差以及基片的浪费。

因此，目前亟需一种基座旋转是否正常的监测方法，以避免基座旋转异常对工艺的影响。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种基座旋转是否正常的监测方法及装卸载基片的方法，其可以监测基座是否旋转异常，从而可以避免基座旋转异常对工艺的影响，进而可以工艺的稳定性和可靠性。

本发明提供一种基座旋转是否正常的监测方法，所述基座的周向上间隔设置有多个用于承载基片的承载位，在所述基座上设置有判断件，在所述判断件所在基座的一侧设置有判断件检测装置，所述判断件检测装置的判断件检测位置位于所述判断件所在的基座圆周上，所述判断件和所述基座表面分别位于所述判断件检测位置时所述判断件检测装置检测的信息不同；该监测方法至少包括以下步骤：步骤S1，对所述基座进行定位；步骤S2，驱动所述基座旋转所述判断件旋转至所述判断件检测位置所需的时间；步骤S3，所述判断件检测装置检测所述判断件检测位置处的信息，根据该信息判断所述判断件是否旋转至所述判断件检测位置，若是，则进入步骤S4；若否，则进入步骤S5；步骤S4，判定所述基座旋转正常；步骤S5，判定所述基座旋转异常。