[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

于一基板上形成一栅极电极；

于该基板上形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极；

于该栅极绝缘层上形成一通道层，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；

于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层，其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位；

于该栅极绝缘层上形成一第一电极，其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位；

去除部分该蚀刻阻挡层，以暴露该通道层的该第二部位；以及

于该栅极绝缘层上形成一第二电极，其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一电极为一源极电极，该第二电极为一漏极电极。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，于形成该栅极电极的步骤中同时形成一栅极线，并且该栅极线一体相连于该栅极电极；于形成该源极电极的步骤中同时形成一源极线，并且该源极线一体相连于该源极电极；于形成该漏极电极的步骤中同时形成一像素电极，并且该像素电极一体相连于该漏极电极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该蚀刻阻挡层并暴露该通道层的该第一部位的步骤之后，包括下述步骤：

于该栅极绝缘层上形成一第一导电层，其中该第一导电层覆盖该蚀刻阻挡层及该通道层的该第一部位；

于该第一导电层上形成一第一图案化光阻层；

蚀刻去除该第一导电层未被该第一图案化光阻层覆盖的部位，以使该第一导电层形成该源极电极与该源极线；以及

去除该第一图案化光阻层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在去除部分该蚀刻阻挡层以暴露该通道层的该第二部位的步骤之后，包括下述步骤：

于该栅极绝缘层上形成一第二导电层，其中该第二导电层覆盖该源极电极、该源极线、该蚀刻阻挡层及该通道层的该第二部位；

于该第二导电层上形成一第二图案化光阻层；

蚀刻去除该第二导电层未被该第二图案化光阻层覆盖的部位，以使该第二导电层形成该漏极电极与该像素电极；以及

去除该第二图案化光阻层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一电极的材质不同于该第二电极的材质。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该通道层的材质包括金属氧化物半导体。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该蚀刻阻挡层的材质包括二氧化硅。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该第二电极的步骤中，位于该蚀刻阻挡层上方的该第二电极部位与该第一电极部位彼此分离。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第一电极与该第二电极两者彼此相邻的端缘之间的距离不大于3μm。