[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

说明书

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极电极；于基板上形成栅极绝缘层覆盖栅极电极；于栅极绝缘层上形成通道层，且通道层位于栅极电极上方，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于栅极绝缘层上形成蚀刻阻挡层覆盖通道层并使通道层的第一部位显露于外；于栅极绝缘层上形成第一电极覆盖并接触第一部位；去除部分蚀刻阻挡层以暴露通道层的第二部位；于栅极绝缘层上形成第二电极覆盖并接触第二部位。

技术领域

本发明涉及一种显示面板的制造方法，特别是一种显示面板的薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

现今的显示面板多半具有多个呈阵列排列的薄膜晶体管来驱动液晶分子的偏转。而各个薄膜晶体管的源极电极与漏极电极可以是经由两次光刻(即微影与蚀刻)而分别形成，藉以避免各个薄膜晶体管的通道长度受限于曝光设备的曝光精准度(目前约为3μm)。

然而，在以往分别形成源极电极与漏极电极的过程中，大都未对薄膜晶体管中的通道层进行保护，使得对于水气、氧气、氢气、制程温度、蚀刻液等外在环境因素具有较高敏感性的通道层，易在薄膜晶体管的制造过程中，受到外在环境因素影响而产生损伤。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管的制造方法，以解决现有技术所面临的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：于一基板上形成一栅极电极；于该基板上形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极；于该栅极绝缘层上形成一通道层，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层，其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位；于该栅极绝缘层上形成一第一电极，其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位；去除部分该蚀刻阻挡层，以暴露该通道层的该第二部位；以及于该栅极绝缘层上形成一第二电极，其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。

上述的薄膜晶体管的制造方法，其中，该第一电极为一源极电极，该第二电极为一漏极电极。

上述的薄膜晶体管的制造方法，其中，于形成该栅极电极的步骤中同时形成一栅极线，并且该栅极线一体相连于该栅极电极；于形成该源极电极的步骤中同时形成一源极线，并且该源极线一体相连于该源极电极；于形成该漏极电极的步骤中同时形成一像素电极，并且该像素电极一体相连于该漏极电极。

上述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在形成该蚀刻阻挡层并暴露该通道层的该第一部位的步骤之后，包括下述步骤：

于该栅极绝缘层上形成一第一导电层，其中该第一导电层覆盖该蚀刻阻挡层及该通道层的该第一部位；

于该第一导电层上形成一第一图案化光阻层；

蚀刻去除该第一导电层未被该第一图案化光阻层覆盖的部位，以使该第一导电层形成该源极电极与该源极线；以及

去除该第一图案化光阻层。

上述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在去除部分该蚀刻阻挡层以暴露该通道层的该第二部位的步骤之后，包括下述步骤：

于该栅极绝缘层上形成一第二导电层，其中该第二导电层覆盖该源极电极、该源极线、该蚀刻阻挡层及该通道层的该第二部位；

于该第二导电层上形成一第二图案化光阻层；

蚀刻去除该第二导电层未被该第二图案化光阻层覆盖的部位，以使该第二导电层形成该漏极电极与该像素电极；以及

去除该第二图案化光阻层。

上述的薄膜晶体管的制造方法，其中，该第一电极的材质不同于该第二电极的材质。