[发明专利]栅极的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410789165.1 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105762067A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董金珠;宋化龙;蒲月皎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种栅极的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
在半导体基体上形成预栅极；
对所述预栅极进行扩散掺杂处理，以形成所述栅极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述扩散掺杂处理的步骤中，形成掺杂浓度为1E14～1E17atoms/cm3的所述栅极。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述扩散掺杂处理的步骤中，扩散温度为900～1300℃，扩散时间为5～30min。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述预栅极的材料为多晶硅；所述扩散掺杂处理的步骤中，对所述预栅极进行P型扩散掺杂处理或N型扩散掺杂处理。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，
对所述预栅极进行所述P型扩散掺杂处理时，掺杂元素为硼；
对所述预栅极进行所述N型扩散掺杂处理时，掺杂元素为磷或锑。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，
当掺杂元素为硼时，以氧化硼、三甲基硼、氮化硼或二硼烷为扩散源；
当掺杂元素为磷时，以单磷酸铵或磷烷为扩散源；
当掺杂元素为锑时，以五氯化锑为扩散源。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述预栅极的步骤包括：
形成覆盖所述半导体基体的栅极材料层；
刻蚀所述栅极材料层至露出所述半导体基体，并将剩余所述栅极材料层作为所述预栅极。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述半导体基体包括硅片以及形成于所述硅片上的栅氧化物层；所述栅极形成于所述栅氧化物层上。
9.一种半导体器件，包括半导体基体以及设置于所述半导体基体上的栅极，其特征在于，所述栅极由权利要求1至8中任一项所述的制作方法制作而成。
10.根据权利要求所述9的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为闪存，所述栅极为浮栅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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