[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410789214.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762105A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 龚英嫣;施平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在所述源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；
在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖所述栅极结构、所述侧壁结构和所述自对准硅化物；
依次蚀刻所述层间绝缘层和所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；
在所述接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；
在所述接触孔中形成所述接触塞。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的形成步骤包括：实施第一次沉积，使形成的所述阻挡层的厚度为预定厚度的一半；对形成的所述阻挡层实施第一次等离子体处理，所述等离子体包含N2和H2；实施第二次沉积，使形成的所述阻挡层的厚度达到所述预定厚度；对形成的所述阻挡层实施第二次等离子体处理，所述等离子体包含N2和H2。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定厚度由所述接触孔的特征尺寸而定。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述阻挡层之前，还包括给所述半导体衬底加热升温的步骤。
5.一种采用权利要求1-4之一所述的方法制造的半导体器件。
6.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求5所述的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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