[发明专利]能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器

权利要求书

1.一种能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，其特征是，包括5个传输门TG1’～TG5’、5个反相器INV1’～INV5’、3个二输入保护门DIG1’～DIG3’和一个延迟单元结构τ，输入D’分别经由TG1’和INV1’后的节点为A’，A’节点后分为两个支路，各自接反相器INV2’和INV3’，其中接INV3’的支路还需要加延迟单元τ，这两个支路各自经由传输门TG2’和TG3’后的节点是B1’和B2’；B1’、B2’均作为DIG1’和DIG2’的输入信号，DIG1’的输出节点是C1’，DIG2’的输出节点是C2’，C1’经由INV4’和TG4’连至B1’节点，C2’经由INV5’和TG5’后连接至B2’节点，C1’、C2’作为DIG3’的两个输入，DIG3’的输出Q’即为触发器的输出端。

2.如权利要求1所述的能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，其特征是，二输入保护门和延时单元τ的组合结构具体为，二输入保护门DIG两个输入之间设置有一个延时单元结构。

3.如权利要求1所述的能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，其特征是，其中的延时单元结构为两个反相器中间连一个PMOS和一个NMOS，晶体管P1、N1和P3、N3分别构成两组反相器，其中P1、P3的源级接VDD，N1、N3的源级接GND，P1、N1的漏端相连记做节点A，A再连接P2、N2、P3、N3的栅端，P2的源漏级均接VDD，N2的源漏级均接GND，P1、N1的栅端相连作为延迟单元的输入端In，P3、N3的漏端相连作为延迟单元的输出端Out；晶体管P2、N2需要大的面积，作为大电容充放电来延迟时间，通过调整P2、N2的宽*长调节延迟时间τ的大小。

4.如权利要求1所述的能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，其特征是，包括：7个传输门TG1～7、7个反相器INV1～7、3个二输入保护门DIG1～3、一个三输入保护门TIG、和两个延迟单元，输入D经由TG1和INV1后的节点为A，A节点后分为三个支路，各自接0、τ、2τ的延迟单元后再分别接反相器INV2、INV3和INV4，INV2经过传输门TG2后的节点是B1，INV3经过传输门TG3后的节点是B2，INV4经过传输门TG4后的节点是B3；B1、B2作为DIG1的两个输入信号，DIG1的输出节点是C1，C1经由INV5和TG5反馈连至B1节点；B2、B3作为DIG2的两个输入信号，DIG2的输出节点是C2，C2经由INV6和TG6反馈连至B2节点；B1、B3作为DIG3的两个输入信号，DIG3的输出节点是C3，C3经由INV7和TG7反馈连至B3节点；C1、C2、C3作为TIG的三个输入，TIG的输出Q即为触发器的输出端。

5.如权利要求1所述的能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，其特征是，三输入保护门TIG晶体管级结构为：使用三个PMOS管PM1、PM2、PM3串联，三个NMOS管NM1、NM2、NM3串联；PM1的源级接VDD，PM3的漏极接NM3的漏极，NM1的源级接GND，PM1和NM1的栅极作为一个输入A，PM2和NM2的栅极作为另一个输入B，PM3和NM3的栅极作为另一个输入C，PM3和NM3的漏极作为输出O，TIG在三个输入不相同的时输出为高阻态。在三个输入信号相同时，该单元的功能与反相器的功能一致。