[发明专利]电子管芯单体化方法

权利要求书

1.一种用于单体化晶片的方法，包括：

提供晶片，所述晶片具有形成于所述晶片上的且彼此以间隔分开的多个管芯，其中所述晶片具有相对的第一主表面及第二主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成；

将所述晶片置于载体基板上；

将所述晶片和所述载体基板置于室中，所述室至少部分地包围压力传递容器，其中所述压力传递容器含有流体；以及

靠着所述压力传递容器移动压缩结构从而沿着所述第二主表面基本上均匀地施加压力以使单体化线内的所述材料层分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

将所述晶片和载体基板置于室中包括：靠着所述载体基板放置所述压力传递容器使得所述载体基板处于所述压力传递容器与所述晶片之间，并且其中所述压力传递容器的宽度超出所述晶片的宽度；并且

在施加所述压力之后，所分离的材料层的若干部分保留于所述载体基板上。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：将压力板置于所述压力传递容器与所述载体基板之间；并且其中：

提供晶片包括：提供其中所述材料层包含导电材料的半导体晶片；并且

将所述晶片置于载体基板上包括：置于附接于框架的载带上，其中施加的所述压力为500KPa至5000KPa。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在施加所述压力之前，将保护膜置于所述晶片的所述第一主表面附近；

在施加所述压力的同时将所述晶片加热到35摄氏度至65摄氏度的温度。

5.一种用于批量单体化半导体晶片的方法，包括：

提供半导体晶片，所述半导体晶片具有形成于所述半导体晶片上的且彼此以间隔分开的多个管芯，其中所述半导体晶片具有相对的第一主表面及第二主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成；

将所述半导体晶片置于载体基板上，其中所述材料层与所述载体基板相邻；

通过所述间隔蚀刻所述半导体晶片以形成单体化线并且使所述材料层的若干部分在所述单体化线内露出；以及

沿着所述半导体晶片的所述第二主表面基本上均匀地施加压力以将粘接部分挤压到所述单体化线内以使所述单体化线内的所述材料层分离，其中所分离的材料层的若干部分保留于所述载体基板上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中施加压力包括：将所述载体基板的若干部分挤压到所述单体化线之内以使所述材料层分离，并且其中在施加所述压力之后，所分离的材料层的若干部分保留于所述载体基板上。

7.根据权利要求5所述的方法，其中

提供半导体晶片包括：提供包含厚度大于3微米的导电材料的所述材料层；

施加压力包括：使用具有比所述半导体晶片的宽度大的宽度的填注流体的容器；并且

施加的所述压力包括500KPa至5000KPa的压力。

8.一种单体化晶片的方法，包括：

提供晶片，所述晶片具有形成于所述晶片上的且彼此以间隔分开的多个管芯，其中所述晶片具有相对的第一主表面及第二主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成；

将所述晶片置于具有粘接部分的载体基板上，其中所述材料层与所述载体基板相邻；

通过所述间隔分离所述晶片以形成单体化线，其中单体化线终止于所述材料层附近；以及

施加横跨所述晶片的所述第二主表面上的压力，以将所述粘接部分挤压到所述单体化线内从而使在所述单体化线内的所述材料层分离，其中所分离的材料层的若干部分保留于所述载体基板上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

提供晶片包括：提供具有大于3微米的厚度的所述材料层；

所述施加步骤被重复不止一次；

施加压力包括：使用具有比所述晶片的直径大的直径的填注流体的容器；并且

施加的所述压力包括500KPa至5000KPa的压力；

所述方法还包括：在施加所述压力的同时加热所述晶片。

10.一种用于分离晶片上的材料层的方法，包括：

提供晶片，所述晶片具有形成于所述晶片上的且通过单体化线彼此间隔开的多个管芯，其中所述晶片具有相对的第一主表面及第二主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成，并且其中所述单体化线从所述第一主表面延伸并且终止于所述材料层附近，并且其中所述晶片附接于载体基板；

将所述晶片和所述载体基板置于室中，所述室至少部分地包围压力传递容器，其中所述压力传递容器含有流体；以及

靠着所述压力传递容器移动压缩结构从而沿着整个所述第二主表面基本上均匀地施加压力以使单体化线内的所述材料层分离。