[发明专利]电子管芯单体化方法

说明书

本发明涉及电子管芯单体化方法。在一种实施例中，通过以下操作将管芯从具有背面层的晶片中单体化：将晶片置于载体基板上，背面层与载体基板相邻，形成通过晶片单体化线以使在单体化线内的背面层露出，以及沿着第二主表面基本上均匀地施加压力以使单体化线内的材料层批量分离。在一种实施例中，填注流体的容器能够被用来施加压力。

技术领域

本发明一般地涉及电子器件，并且更特别地涉及用于形成诸如半导体管芯之类的电子器件的方法。

背景技术

过去，半导体行业使用各种方法和设备来从管芯(die)制造于其上的半导体晶片中单体化个体半导体管芯。典型地，称为划线(scribing)或划片(dicing)的技术被用来以金刚石切割轮沿着在晶片上形成于个体管芯之间的划线网格或单体化线部分地或完全地切割穿过晶片。为了允许划片轮的对准和宽度，每个划线网格通常具有较大的宽度，通常约为150微米，这会消耗半导体晶片的一大部分。另外，在半导体晶片上划出每个单体化线所需的时间能够耗费超过1小时或更多的时间。该时间降低了生产设备的产量和制造能力。

作为对划线技术的替代，已经研究出了包括热激光分离(TLS)、消融激光划片和等离子体划片在内的其他方法。与划线及其他可选工艺相比，等离子体划片是一种有发展前景的工艺，因为它支持更窄的划切线，具有提高的产量，并且能够按照不同的且灵活的方式来单体化管芯。但是，等离子体划片在制造实现方式方面具有挑战。这样的挑战包括与晶片背面层(例如，背面金属层)不兼容，因为蚀刻工艺已经无法有效地从单体化线上去除或分离背面层。从划切线上去除或分离背面层对于方便后续的处理(例如，拾放和组装过程)是必要的。

因此，最好是拥有从半导体晶片中单体化管芯的方法，该方法可从单体化线内去除或分离背面层。这对于该方法变得有成本效益以及最小化对所分离的管芯的任意破坏或污染将会是有益的。

附图说明

图1示出了根据本发明的晶片的一种实施例的简化平面图；

图2示出了根据本发明的一种实施例的安装于载体基板上的图1的晶片的截面图；

图3示出了图2的实施例的顶视图；

图4-5示出了根据本发明的一种实施例的图1的晶片在从晶片中单体化管芯的过程中的各个阶段的局部截面图；

图6示出了根据本发明的一种实施例的图1的晶片在单体化的后一阶段的截面图；

图7示出了图6的实施例根据参照部7-7的放大局部截面图；

图8示出了根据本发明的一种实施例的在单体化之后且在下一个制造阶段的图1的晶片；以及

图9示出了根据本发明的一种实施例的批量单体化方法的流程图。