[发明专利]一种高频LTCC电路模块基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路模块基板，尤其是涉及一种高频LTCC电路模块基板。

背景技术

电子元件的模块化已成为业界不争的事实，其中尤其以LTCC为首选方式。可供选择的模块基板有LTCC、HTCC(高温共烧陶瓷)、传统的PCB如FR4和PTFE(高性能聚四氟已烯)等。HTCC的烧结温度在1500℃以上，与之匹配的难熔金属如钨、钼/锰等导电性能较差，烧结收缩不如LTCC易于控制。LTCC的介电损耗比RF4低一个数量级。PTFE的损耗较低，但绝缘性都较差。LTCC比大多数有机基板材料可更好地控制精度。没有任何有机材料可与LTCC基板的高频性能、尺寸和成本进行综合比较。随着LTCC低温共烧陶瓷技术的日益成熟，高频LTCC复合材料具有优良的高频、高速传输以及宽通带的特性，适应大电流、耐高温，具有良好的兼容性等优点，对此，如何将LTCC低温共烧陶瓷材料和高频PTFE粉末融合形成一种电路基板的新材料，更好地运用于现代集成电路，提高微波电路板的产品性能，已经迫在眉睫，刻不容缓。

发明内容

为克服上述问题，本发明采用如下技术方案：

一种高频LTCC电路模块基板，包括绝缘介质材料层，在绝缘介质材料层两面依次设有LTCC复合材料粘结片、铜箔层。

所述绝缘介质材料层采用PTFE粉和LTCC低温共烧陶瓷粉末按一定比例进行混合，经球磨机高温球磨一段时间形成。

所述绝缘介质材料层采用PTFE粉和LTCC低温共烧陶瓷粉末按一定比例进行混合所述绝缘介质材料层根据介电常数要求选择配比方案，采用PTFE粉与LTCC低温共烧陶瓷粉末混合，按介质层厚度要求进行控制，经球磨机球磨48小时形成基板的介质材料，然后将基板的介质材料置于模具中经280～300℃高温压合形成基板介质材料层。

所述LTCC复合材料粘结片的厚度小于0.025mm的LTCC陶瓷粉末放入PTFE树脂内经浸胶机进行预浸渍，然后在260～270℃高温烧结后制得所述的LTCC复合材料粘结片。

所述铜箔层选用厚度为35um-280um的铜箔层。

本发明的优点是：使用PTFE粉与LTCC粉混合，经球磨机球磨后制作的基板绝缘介质材料，根据配料的不同，介电常数可以在很大范围内变动，适合不同信号频率的电路设计，配合使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数，增加了电路设计的灵活性，同时可以适应大电流及耐高温特性要求，并具备比普通PCB电路基板更优良的热传导性，极大地优化了电子设备的散热设计，可靠性高，可应用于恶劣环境，延长了其使用寿命；使用LTCC复合材料粘结片，有利于铜箔层和绝缘介质层之间的粘结，粘结性能优良，提高基板的剥离强度，特别是应用于高耐热环境，解决铜箔粘结力差的问题；使用35um-280um的铜箔，可以扩大铜箔厚度的使用范围，客户可根据电路设计的承载电流、负载功率以及铜层的截流能力的不同选用不同厚度的铜箔，尽可能做到铜层厚度的利用最大化。

附图说明

 图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一种高频LTCC电路模块基板包括绝缘介质材料层1，所述绝缘介质材料层1上下两面依次设有LTCC复合材料粘结片2、铜箔层3。所述绝缘介质材料层1根据介电常数要求选择配比方案，采用PTFE粉与LTCC低温共烧陶瓷粉末混合，按介质层厚度要求进行控制，经球磨机球磨48小时形成介质材料，然后将介质材料置于模具中经280～300℃高温压合形成绝缘介质材料层1；所述LTCC复合材料粘结片2选取厚度小于0.025mm的LTCC陶瓷粉末放入PTFE树脂内经浸胶机进行预浸渍，然后在260～270℃高温烧结后制得所述的LTCC复合材料粘结片2。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。