[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅衬底，在所述晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在所述前栅线上的第一互联条，在所述晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在所述银薄膜背离所述晶硅衬底一侧的第二互联条；

所述银薄膜的厚度为1nm-500nm；所述第二互联条的厚度小于0.2μm。

2.如权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述前电极层包括第二透明导电氧化物薄膜；

所述第二透明导电氧化物薄膜背离所述晶硅衬底的一面具有绒面结构。

3.一种硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：在晶硅衬底的入光侧依次形成第一非晶硅层、前电极层和前栅线，在所述晶硅衬底的背光侧依次形成第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜；

在形成所述前栅线之后，在所述前栅线上焊接或粘贴第一互联条；

在形成所述银薄膜之后，在所述银薄膜背离所述晶硅衬底的一侧焊接或粘贴第二互联条；所述第二互联条的厚度小于0.2μm。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述形成银薄膜，具体包括：

将形成有所述第一透明导电氧化物薄膜的样品置于银薄膜制备装置的腔室中；

对放置有所述样品的所述腔室进行抽真空处理；

向经过所述抽真空处理后的所述腔室内通入惰性气体；

对所述腔室内施加电压，使所述惰性气体电离后形成的离子轰击所述腔室内的银靶，被轰击出的银粒子沉积在所述样品上。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对放置有所述样品的所述腔室进行抽真空处理，具体包括：

对放置有所述样品的所述腔室进行抽真空处理，至所述腔室的本底压强为5×10-5torr-8×10-7torr。

6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述向经过所述抽真空处理后的所述腔室内通入惰性气体，具体包括：

向经过所述抽真空处理后的所述腔室内通入惰性气体，使所述腔室的沉积压强为1×10-2torr-9×10-5torr。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

8.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对所述腔室内施加电压，使所述惰性气体电离后形成的离子轰击所述腔室内的银靶，被轰击出的银粒子沉积在所述样品上，具体包括：

在所述腔室内的银靶与所述样品之间的距离为50mm-300mm的条件下，对所述腔室内施加200V-800V的电压，使所述惰性气体电离后形成的离子轰击所述银靶，被轰击出的银粒子沉积在所述样品上。

9.如权利要求3-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述前电极层包括第二透明导电氧化物薄膜；在形成所述第二透明导电氧化物薄膜之后，在形成所述前栅线之前，还包括：

在所述第二透明导电氧化物薄膜背离所述晶硅衬底的一面形成绒面结构。