[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，该硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条，在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条；与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比，省去利用银浆材料制作的背栅线，在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条，这样，不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺，还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤指一种硅异质结太阳能电池及其制作方法。

背景技术

随着能源危机和环境污染问题的加重，人们对可再生能源的研究和应用开发更加关注，其中太阳能光伏发电技术是最有前途的可再生能源技术之一。近年来，硅异质结太阳能电池由于具有较低制作工艺温度、较高转换效率、优异高温/弱光发电特性和低衰减等特点，得到了迅速发展。

在现有的硅异质结太阳能电池中，在电池功能层的两侧分别设置有前电极层和背电极层，在前电极层一侧设置有前栅线，在背电极一侧设置有背栅线。

由于现有的硅异质结太阳能电池需要在前电极层一侧和背电极层一侧都设置栅线，其制作工艺较为复杂，并且，前栅线和背栅线的材料一般都为银浆材料，制作成本较高，因此，提供一种制作工艺简单且成本较低的硅异质结太阳能电池是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，用以实现一种制作工艺简单且成本较低的硅异质结太阳能电池。

本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池，包括：晶硅衬底，在所述晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在所述前栅线上的第一互联条，在所述晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在所述银薄膜背离所述晶硅衬底一侧的第二互联条。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述硅异质结太阳能电池中，所述银薄膜的厚度为1nm-500nm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述硅异质结太阳能电池中，所述第二互联条的厚度小于0.2μm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述硅异质结太阳能电池中，所述前电极层包括第二透明导电氧化物薄膜；

所述第二透明导电氧化物薄膜背离所述晶硅衬底的一面具有绒面结构。

本发明实施例还提供了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，包括：在晶硅衬底的入光侧依次形成第一非晶硅层、前电极层和前栅线，在所述晶硅衬底的背光侧依次形成第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜；

在形成所述前栅线之后，在所述前栅线上焊接或粘贴第一互联条；

在形成所述银薄膜之后，在所述银薄膜背离所述晶硅衬底的一侧焊接或粘贴第二互联条。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述在所述银薄膜背离所述晶硅衬底的一侧焊接或粘贴第二互联条，具体包括：

将厚度小于0.2μm的第二互联条焊接或粘贴在所述银薄膜上。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述方法中，所述形成银薄膜，具体包括：

将形成有所述第一透明导电氧化物薄膜的样品置于银薄膜制备装置的腔室中；

对放置有所述样品的所述腔室进行抽真空处理；

向经过所述抽真空处理后的所述腔室内通入惰性气体；