[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出部分半导体衬底的表面；

沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一通孔；

对所述第一通孔的侧壁表面进行氧化处理，形成氧化层，然后去除所述氧化层，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度，或者对所述第一通孔侧壁进行退火处理，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理采用的方法包括：紫外氧化、臭氧氧化、化学氧化或低温快速热氧化。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理在氧等离子体氛围下进行。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过对所述氧化处理采用的氧化气体进行微波辐射，形成等离子体。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述微波辐射的功率为400W～4000W，形成的等离子体的密度为1E15atoms/cm²～2E16atoms/cm²。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理在惰性气体氛围下进行。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理在H₂氛围下进行。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的压强为5torr～760torr，温度为400℃～1000℃。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述退火处理过程中，第一通孔侧壁表面的硅原子发生重组。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括：激光退火、闪光退火、快速热退火或炉管退火。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，形成第一通孔。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体为HCl、以及CF₄、CHF₃、C₂F₆中的一种或多种，刻蚀功率为100W～500W，偏置电压为0V～10V，温度为40℃～100℃。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜层的方法包括：在所述半导体衬底表面形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层图形化，形成具有开口的掩膜层。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶、无定形碳、SiO₂、SiN、SiON、TiN、TaN、SiN、SiCN、SiC或BN。

16.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二通孔内填充金属材料，形成填充满第二通孔的金属层。

17.根据权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝、铜或钨。