[发明专利]半导体集成电路装置及其布局设计方法在审
申请号: | 201410806910.9 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN104733386A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 作田孝 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/06 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 及其 布局 设计 方法 | ||
1.一种布局设计方法,其为对半导体集成电路装置的布局进行设计的方法,并包括:
步骤(a),在逻辑电路配置区域的一部分中配置分别构成多个功能模块的多个标准单元,所述多个功能模块实现所述半导体集成电路装置的逻辑功能;
步骤(b),在所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元的区域的一部分中配置多个基本单元;
步骤(c),在所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元以及基本单元的区域的至少一部分中,配置包括第一二极管以及第二二极管的至少一个二极管单元,所述第一二极管被连接于预定的晶体管的栅极电极与第一电源配线之间,所述第二二极管被连接于该栅极电极与第二电源配线之间。
2.如权利要求1所述的布局设计方法,其中,
所述基本单元的宽度大于所述二极管单元的宽度,所述标准单元的长度、所述基本单元的长度和所述二极管单元的长度大致相等。
3.如权利要求1或2所述的布局设计方法,其中,
步骤(b)包括:
步骤(b1),在所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元的区域的一部分中配置多个第一基本单元;
步骤(b2),在所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元以及第一基本单元的区域的一部分中配置多个第二基本单元,所述多个第二基本单元具有小于所述第一基本单元的宽度且大于所述二极管单元的宽度的宽度。
4.如权利要求3所述的布局设计方法,其中,
所述第一基本单元的宽度为所述二极管单元的宽度的大致3倍,所述第二基本单元的宽度为所述二极管单元的宽度的大致2倍,所述标准单元的长度、所述第一基本单元的长度、所述第二基本单元的长度和所述二极管单元的长度大致相等。
5.如权利要求1或2所述的布局设计方法,其中,
所述基本单元或所述第一基本单元包括:具有共同的第一栅极电极的第一P沟道晶体管以及第一N沟道晶体管;和具有共同的第二栅极电极的第二P沟道晶体管以及第二N沟道晶体管。
6.如权利要求3所述的布局设计方法,其中,
所述第二基本单元包括具有共同的第三栅极电极的第三P沟道晶体管以及第三N沟道晶体管。
7.一种半导体集成电路装置,其为包括具有逻辑电路配置区域的半导体基板的半导体集成电路装置,并具备:
多个标准单元,其被配置于所述逻辑电路配置区域的一部分中,并分别构成多个功能模块,所述多个功能模块实现所述半导体集成电路装置的逻辑功能;
多个基本单元,其被配置于所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元的区域的一部分中;
至少一个二极管单元,其被配置于所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元以及基本单元的区域的至少一部分中,并包括第一二极管以及第二二极管,所述第一二极管被连接于预定的晶体管的栅极电极与第一电源配线之间,所述第二二极管被连接于该栅极电极与第二电源配线之间,
所述二极管单元在与所述二极管单元的长边方向正交的方向上被配置于,两个标准单元之间的区域、标准单元与基本单元之间的区域或者所述逻辑电路配置区域的端部的区域的至少一部分中。
8.如权利要求7所述的半导体集成电路装置,其中,
所述多个基本单元包括多个第一基本单元以及多个第二基本单元,
所述多个第一基本单元被配置于所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元的区域的一部分中,
所述多个第二基本单元被配置于所述逻辑电路配置区域中的未配置标准单元以及第一基本单元的区域的一部分中,并具有小于所述第一基本单元的宽度且大于所述二极管单元的宽度的宽度。
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