[发明专利]半导体元件及其制造方法在审

申请号：	201410808639.2	申请日：	2014-12-23
公开（公告）号：	CN105789200A	公开（公告）日：	2016-07-20
发明（设计）人：	郑嘉文	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L21/77
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	任岩
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体元件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体元件，包括：

多个叠层结构，配置于基底上；以及

介电层，配置于所述基底上，覆盖所述叠层结构，

其中，相邻两个所述叠层结构之间具有空气间隙，所述空气间隙的顶端高于所述叠层结构的顶端。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述空气间隙具有一宽部与一窄部，所述宽部位于所述窄部之下。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中所述叠层结构包括硅化金属层，所述硅化金属层具有第一部分与第二部分，所述第一部分位于所述第二部分之下，所述硅化金属层的所述第一部分的最大宽度小于所述硅化金属层的所述第二部分的最大宽度，所述空气间隙的所述宽部的最大宽度位于相邻两个所述叠层结构之间，并且低于所述硅化金属层的所述第二部分。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述空气间隙具有一宽部、第一窄部与第二窄部，所述第一窄部位于所述第二窄部之下，所述宽部位于所述第一窄部与所述第二窄部之间。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中所述叠层结构包括硅化金属层与硬掩模层，所述硬掩模层配置于所述硅化金属层上，所述硅化金属层具有第一部分与第二部分，所述硅化金属层的所述第一部分位于所述硅化金属层的所述第二部分之下，所述硅化金属层的第一部分的最大宽度大于所述硅化金属层的所述第二部分的最大宽度，所述空气间隙的所述宽部的最大宽度位于相邻两个所述叠层结构之间，并且低于所述硬掩模层，高于所述硅化金属层的所述第一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述空气间隙的剖面为保龄球瓶形或飞碟形。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述硅化金属层的剖面为磨菇形或倒T形。

8.一种半导体元件的制造方法，包括：

于基底上形成多个叠层结构；

于相邻两个所述叠层结构之间形成第一介电层，所述第一介电层的上表面低于所述叠层结构的上表面，裸露出部分所述叠层结构；

使部分所述叠层结构形成为硅化金属层；

移除部分所述第一介电层，以形成多个凹槽；以及

于所述基底上形成第二介电层，覆盖所述叠层结构，并在相邻两个所述叠层结构之间形成空气间隙，所述空气间隙的顶端高于所述叠层结构的顶端。

9.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，更包括：

于裸露出的部分所述叠层结构的侧壁上形成间隙壁，所述间隙壁包括非晶硅或多晶硅；以及

使所述间隙壁形成为部分所述硅化金属层。

10.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述硅化金属层具有第一部分与第二部分，所述第一部分位于所述第二部分之下，所述第一部分的最大宽度小于所述第二部分的最大宽度。