[发明专利]一种可切换显示状态的有机发光显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201410809459.6 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105789241B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 刘青刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切换 显示 状态 有机 发光 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种可切换显示状态的有机发光显示装置,包括驱动基板(1),在所述驱动基板(1)上方依次层叠设置的驱动开关、第一电极层、有机发光层(10)和第二电极层(11),其特征在于,
所述驱动开关包括第一驱动开关(2)和第二驱动开关(3);
所述的第一电极层包括第一导电层和设置在所述第一导电层上方的第二透明导电层(8),所述第一导电层包括A区透明导电层(4)和环绕所述A区透明导电层(4)的B区导电层(6),所述A区透明导电层(4)上设有凝胶电解质层(5);所述凝胶电解质层(5)在驱动电压由0伏到5伏变化时由光透过状态逐渐转换为光反射状态;
所述有机发光层(10)在一个像素中同时覆盖所述第一导电层的A区透明导电层(4)和所述B区导电层(6);所述第一驱动开关(2)与所述A区透明导电层(4)电连接,所述第二驱动开关(3)与所述B区导电层(6)电连接。
2.根据权利要求1所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述凝胶电解质层(5)在驱动基板(1)上的投影与所述A区透明导电层(4)在驱动基板(1)上的投影重叠。
3.根据权利要求1所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述凝胶电解质层(5)在驱动基板(1)上的投影位于所述A区透明导电层(4)在驱动基板(1)上的投影的内部。
4.根据权利要求1所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述A区透明导电层(4)和所述第二透明导电层(8)的材质相同或不相同。
5.根据权利要求1-3任一所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述B区导电层(6)和所述第二透明导电层(8)之间设有反射导电层(7)。
6.根据权利要求5所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射导电层(7)在驱动基板(1)上的投影与所述B区导电层(6)在驱动基板(1)上的投影重叠或位于其内部。
7.根据权利要求6所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射导电层(7)在驱动基板(1)上的投影位于所述B区导电层(6)在驱动基板(1)上的投影的内部。
8.根据权利要求7所述可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射导电层(7)为Ag层或Al层。
9.根据权利要求1所述的可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述凝胶电解质层(5)由银离子无机盐、辅助导电离子无机盐、溶剂、溴化物或碘化物盐和高分子聚合物中的一种或几种制备而成。
10.根据权利要求1所述的可切换显示状态的有机发光显示装置,其特征在于,所述的第一驱动开关(2)和第二驱动开关(3)为薄膜晶体管驱动开关。
11.一种可切换显示状态的有机发光显示装置的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤A:在驱动基板(1)上制作第一驱动开关(2)和第二驱动开关(3);
步骤B:在所述第一驱动开关(2)和第二驱动开关(3)上形成第一导电层,并将其图形化形成A区透明导电层(4)和环绕所述A区透明导电层(4)的B区导电层(6),使第一驱动开关(2)与A区透明导电层(4)电连接,第二驱动开关(3)与所述B区导电层(6)电连接;
步骤C:在所述A区透明导电层(4)上形成凝胶电解质层(5),在B区导电层(6)和凝胶电解质层(5)上方形成第二透明导电层(8);
步骤D:在第二透明导电层(8)上形成像素限定层(9),在像素限定层(9)中形成有机发光层(10);
步骤E:在有机发光层(10)上形成第二电极层(11)和封装层(12)。
12.根据权利要求11所述制备方法,其特征在于,所述步骤C为:在第一导电层上方沉积反射导电层,并图形化去除A区透明导电层(4)上方的反射导电层,保留B区导电层(6)上的反射导电层(7),然后沉积凝胶电解质材料,并图形化保留A区透明导电层(4)上方的凝胶电解质层(5),在凝胶电解质层(5)和反射导电层(7)上方沉积第二透明导电层(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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