[发明专利]一种可切换显示状态的有机发光显示装置及其制备方法有效
申请号: | 201410809459.6 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105789241B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 刘青刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切换 显示 状态 有机 发光 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种可切换显示状态的有机发光显示装置,包括驱动基板,在所述驱动基板上方依次层叠设置的驱动开关、第一电极层、有机发光层和第二电极层,所述驱动开关包括第一驱动开关和第二驱动开关;所述的第一电极层包括第一导电层和设置在所述第一导电层上方的第二透明导电层,所述第一导电层包括A区透明导电层和环绕所述A区透明导电层的B区导电层,所述A区透明导电层上设有凝胶电解质层;所述凝胶电解质层在驱动电压由0伏到5伏变化时可由光透过状态逐渐转换为光反射状态;所述第一驱动开关用以控制A区透明导电层上的电压,所述第二驱动开关用于控制所述B区导电层上的电压,该装置透明显示区域的分辨率与正常显示器具有相同的分辨率。
技术领域
本发明属于透明显示有机发光器件技术领域,具体涉及一种可切换显示状态的有机发光显示装置,即可以在能够在透明和正常显示状态转换的有机发光显示装置,本发明还涉及该有机发光显示装置的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(英文全称为Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)是主动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器(英文全称Liquid CrystalDisplay,简称LCD)、等离子体显示面板(英文全称Plasma Display Panel,简称PDP),使用有机发光二极管的有机发光显示装置具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点,有望成为下一代主流平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
有源矩阵有机发光显示装置(英文全称Active Matrix Organic LightingEmitting Display,简称AMOLED)作为有机发光显示装置中的一种,利用薄膜晶体管(英文全称Thin Film Transistor,简称TFT),搭配电容存储信号,来控制有机发光二极管的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管具有完整的阴极、有机功能层和阳极,阳极覆盖一个薄膜晶体管阵列,形成一个矩阵。有源矩阵有机发光显示装置具有可大尺寸化、省电、解析度高、面板寿命较长等特点,因此在显示技术领域得到了高度重视。
由于AMOLED自主发光特性,不需要背光照明,因此可以实现透明显示,是未来新型显示技术。而现有的有源矩阵有机发光显示装置件,通过在子像素区域一部分区域不沉积发光材料,从而实现透明显示。为实现正常显示和透明显示的切换,通常是通过在不沉积发光材料的区域设置聚合物分散液晶(polymer dispersed liquid crystal,PDLC)作为开关可实现透明显示与正常显示的切换,但是由于透明部分没有设置发光材料,因此透明显示时比正常显示时分辨率明显降低,显示效果较差,在一定程度给用户的使用带来了较大的局限性。
发明内容
为此,本发明为现有技术中可切换显示状态的显示器透明显示相对正常显示分辨率明显下降的问题,提供一种可切换显示状态的有机发光显示装置,该装置透明显示与正常显示时具有相同的分辨率。
进一步地,本发明还提供了一种上述可以在正常显示与透明显示之间切换的有源矩阵有机发光显示装置的制备方法。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种可切换显示状态的有机发光显示装置,包括驱动基板,在所述驱动基板上方依次层叠设置的驱动开关、第一电极层、有机发光层和第二电极层,所述驱动开关包括第一驱动开关和第二驱动开关;
所述的第一电极层包括第一导电层和设置在所述第一导电层上方的第二透明导电层,所述第一导电层包括A区透明导电层和环绕所述A区透明导电层的B区导电层,所述A区透明导电层上设有凝胶电解质层;所述凝胶电解质层在驱动电压由0伏到5伏变化时可由光透过状态逐渐转换为光反射状态;
所述第一驱动开关(2)与所述A区透明导电层(4)电连接,所述第二驱动开关(3)与所述B区导电层(6)电连接。
所述凝胶电解质层在驱动基板上的投影与所述A区透明导电层在驱动基板上的投影重叠或位于其内部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的