[发明专利]一种叠层片式电子元器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410809701.X | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104538175A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 余瑞麟;戴春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳顺络电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F17/00;H01F37/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518110 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 叠层片式 电子元器件 制作方法 | ||
1.一种叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于包括：长通孔制作步骤，粉料处理及粉料填充步骤；所述长通孔制作步骤包括膜生带流延、长通孔开孔、对位标识印刷和对位叠压形成BAR块子步骤。
2.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述粉料填充步骤采用负压吸附填充方式，以使粉料能够达到长通孔底部。
3.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述粉料填充步骤采用振动填充方式，以使粉料能够顺利进入长通孔中并堆积密实。
4.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述粉料填充步骤采用扫动填充方式，以确保粉料能够连续均匀的进入长通孔。
5.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：该制作方法还包括温水压步骤，以使长通孔中粉料堆积更加致密。
6.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述粉料处理步骤包括粉料磨细、烘干、研磨过筛子步骤。
7.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述粉料磨细子步骤采用砂磨工艺，粉料磨细后粒度为0.6±0.2um。
8.如权利要求1所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述膜生带流延子步骤的膜生带为铁氧体或者陶瓷生带。
9.如权利要求8所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述膜生带包括两层以上，通过激光开孔方式逐层开所述长通孔。
10.如权利要求5所述的叠层片式电子元器件的制作方法，其特征在于：所述温水压步骤的水温为50～80度，水压压强为6000～10000帕。
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