[发明专利]一种叠层片式电子元器件的制作方法在审
申请号: | 201410809701.X | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN104538175A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 余瑞麟;戴春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/14 | 分类号: | H01F41/14;H01F17/00;H01F37/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 叠层片式 电子元器件 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域,特别是涉及一种一种叠层片式电子元器件的制作方法。
背景技术
在电子元器件设计过程中,因为产品结构或者产品性能上的需求,有时会出现一些上下贯通且需要填充的长通孔,传统叠层工艺进行填孔即:先制作薄膜生带,然后在每一层薄膜生带上开通孔,印刷时往孔里填入浆料,通过叠层撕膜的方式将浆料留在薄膜生带的通孔里,并通过层层对位叠压最终形成一个填满材料的长通孔。但是,实际填孔过程中,由于薄膜生带开孔时开穿而PET膜不开穿,PET膜虽不开穿但是硅油已被激光烧没,并且被激光打出一个表面粗糙的凹坑,浆料填入生带后与PET膜凹坑结合,而且结合力较强,致使叠层撕膜时填充浆料都被PET膜带走,通孔里无浆料或者有较大缝隙,严重影响产品的电性能以及产品的可靠性。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的发明构思及技术方案,其并不必然属于本专利申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下,上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
发明内容
本发明的目的在于提出一种叠层片式电子元器件的制作方法,以解决上述现有技术存在的长通孔填充不佳、严重影响产品的电性能及可靠性的技术问题。
为此,本发明提出一种叠层片式电子元器件的制作方法,包括长通孔制作步骤,粉料处理及粉料填充步骤;所述长通孔制作步骤包括膜生带流延、长通孔开孔、对位标识印刷和对位叠压形成BAR块子步骤。
优选地,本发明还可以具有如下技术特征:
所述粉料填充步骤采用负压吸附填充方式,以使粉料能够达到长通孔底部。
所述粉料填充步骤采用振动填充方式,以使粉料能够顺利进入长通孔中并堆积密实。
所述粉料填充步骤采用扫动填充方式,以确保粉料能够连续均匀的进入长通孔。
该制作方法还包括温水压步骤,以使长通孔中粉料堆积更加致密。
所述粉料处理步骤包括粉料磨细、烘干、研磨过筛子步骤。
所述粉料磨细子步骤采用砂磨工艺,粉料磨细后粒度为0.6±0.2um。
所述膜生带流延子步骤的膜生带为铁氧体或者陶瓷生带。
所述膜生带包括两层以上,通过激光开孔方式逐层开所述长通孔。
所述温水压步骤的水温为50~80度,水压压强为6000~10000帕。
本发明与现有技术对比的有益效果包括:本发明采用先制作长通孔,再对长通孔进行填粉的填充方法,效率高可一次填孔,且填孔效果密实,工艺简单,产品的稳定性及可靠性较高。
附图说明
图1是本发明一个具体实施方式的工艺流程图;
图2是本发明一个具体实施方式的叠层片式电子元器件的结构示意图。
具体实施方式
为便于准确理解,以下是后文中将出现的技术术语的准确定义:
所谓“长通孔”是指:
下面结合具体实施方式并对照附图对本发明作进一步详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。
参照以下附图1-2,将描述非限制性和非排他性的实施例,其中相同的附图标记表示相同的部件,除非另外特别说明。
实施例一:
一种叠层片式电子元器件的制作方法,如图1所示,包括长通孔制作步骤,粉料处理及粉料填充步骤;所述长通孔制作步骤包括膜生带流延、长通孔开孔、 对位标识印刷和对位叠压形成BAR块子步骤。
如图2所示,该叠层片式电子元器件包括两层以上的薄膜生带10及其长通孔101,所述长通孔101中需填充粉料。值得说明的是,所述长通孔101可为一个或两个以上,两个以上时可按照行列等方式或按照实际需要进行排布,无论何种排布方式对本发明的制作方法而言均无局限。
本优选例中,所述制作方法还包括对成型的BAR块进行温水压、切割、倒角、排胶及烧结等。以下为本实施例的制作方法的具体描述。
1、粉料处理:
1.1进行填孔的粉料粒度必须足够细,以便粉料能够更好的进入长通孔中,同时增加粉体堆积密度。本实施例采用砂磨工艺对粗颗粒粉体进行磨细,粉料磨细后粒度D50在0.6±0.2um左右。
所述填孔粉料可以为陶瓷粉,铁氧体粉或者其他金属粉体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳顺络电子股份有限公司;,未经深圳顺络电子股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410809701.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。